型号：K4S561632C-TC1L
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR SDRAM
　　容量：64Mbit（8MB）
　　组织结构：4M x 16 bits
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　封装：56-TSOP II
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　最大时钟频率：133MHz
　　数据速率：133 Mbps（DDR）
　　引脚数：56
　　存储体数量：4 banks
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　数据宽度：16位
　　时序等级：CL=2 或 CL=3（可配置）

K4S561632C-TC1L具备多项关键特性，使其在同类DDR SDRAM产品中表现出良好的性能与可靠性。
　　首先，该芯片采用双倍数据率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，使有效数据传输速率翻倍，达到133Mbps甚至更高，显著提升了系统整体带宽利用率。这种机制特别适用于需要持续高吞吐量的应用环境，如图像缓冲、帧存储或实时数据采集系统。
　　其次，其内部架构由四个独立的存储体组成，支持交叉存取操作。当一个存储体正在进行预充电或刷新操作时，其他存储体仍可进行读写访问，从而最大限度地减少等待时间，提升内存访问效率。这一特性对于多任务处理或频繁切换访问地址的系统尤为重要。
　　再者，K4S561632C-TC1L支持标准的突发长度配置，包括突发长度为4或8的选择，并可通过模式寄存器进行编程设置，满足不同应用场景下的灵活性需求。同时，其命令集完全兼容JEDEC标准，确保与主流内存控制器之间的互操作性。
　　功耗管理方面，该芯片提供自动刷新和自刷新两种模式。在正常运行期间使用自动刷新维持数据完整性；而在低功耗待机状态下，可通过进入自刷新模式由内部电路自主完成刷新操作，外部控制器可以关闭时钟以节省能源，非常适合电池供电或绿色节能型设备。
　　此外，该器件采用56引脚TSOPⅡ小型化封装，具有优良的散热性能和电气特性，便于在高密度PCB布局中使用。其输入/输出接口为LVTTL电平兼容，易于与3.3V逻辑系统集成，降低了系统设计复杂度。
　　最后，K4S561632C-TC1L经过严格的工业级测试，保证在0°C至+70°C的宽温范围内稳定运行，适用于各种严苛的工业和商业环境。虽然目前已被更先进的内存技术所替代，但其成熟可靠的架构仍在许多老旧设备维护和替代升级方案中发挥重要作用。

K4S561632C-TC1L主要应用于需要中等容量、稳定性和成本效益平衡的嵌入式系统和消费类电子产品中。
　　在通信设备领域，它常用于路由器、交换机和网络适配卡中作为数据包缓冲存储器，利用其较高的数据传输速率和低延迟特性来支持快速数据转发和流量管理。
　　在打印和成像设备中，例如激光打印机或多功能一体机，该芯片用于页面渲染缓存和图像临时存储，能够高效处理复杂的图形数据流，提升打印速度和响应能力。
　　工业控制系统也是其重要应用方向之一，包括PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和自动化仪表等设备，借助其可靠的数据保持能力和抗干扰设计，保障长时间运行的稳定性。
　　此外，在部分早期的数字机顶盒、DVD播放器和视频监控设备中，K4S561632C-TC1L被用作视频帧缓存，协助完成图像解码和显示输出任务。
　　由于其16位数据宽度和3.3V工作电压，也常见于一些基于ARM7、ARM9或类似架构的嵌入式处理器平台，作为主内存或外扩RAM使用，配合无内存控制器的MCU扩展系统资源。
　　尽管当前主流设备已转向DDR2及以上标准，但在设备维修、备件替换及旧系统维护场景下，该型号仍然具有不可替代的作用，尤其在无法更换主板或升级架构的情况下，是理想的直接替换元件。

K4S561632D-TC10
　　MT48LC4M16A2P-75
　　IS42S16400-7BLI