型号：K4S280832I-UI75
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：128 Mbit (64M x 16)
　　电压：1.8V ±0.1V
　　工作温度：0°C 至 +85°C
　　封装形式：60-ball FBGA (8mm x 13mm)
　　数据速率：400 Mbps（DDR400）
　　时钟频率：200 MHz
　　组织结构：4 Banks × 65,536 Rows × 1,024 Columns × 16 Bits
　　预取架构：4-bit Prefetch
　　输入/输出接口：SSTL_18
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　突发长度：BL=4, BL=8 (通过模式寄存器设置)
　　CAS 延迟：CL=3, CL=4, CL=5 (可编程)
　　访问时间：最大7.5ns
　　封装尺寸：8mm × 13mm × 1.0mm

K4S280832I-UI75 具备多项先进的技术特性，使其在众多DDR2内存产品中脱颖而出。首先，该芯片采用了4-bit预取架构，这是DDR2 SDRAM的核心技术之一，能够在每个时钟周期内从存储阵列中预取出4位数据，并通过源同步接口在上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现双倍数据速率传输。这种架构显著提升了带宽效率，同时保持了核心阵列的较低工作频率，有助于降低功耗和提高稳定性。
　　其次，K4S280832I-UI75 支持多种可编程操作模式，包括可配置的突发长度（BL=4或BL=8）和CAS（列地址选通）延迟（CL=3/4/5），用户可根据具体应用需求灵活调整以优化系统性能。例如，在高吞吐量应用场景中可以选择较长的突发长度来减少地址切换开销；而在低延迟要求较高的场合则可选择较短的CL值以加快响应速度。此外，该芯片内置模式寄存器（Mode Register），允许通过命令总线对其进行写入配置，极大增强了使用的灵活性。
　　再者，该器件具备完善的电源管理机制，支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）两种模式。在正常运行期间，控制器定期发出自动刷新命令以维持数据完整性；当系统进入待机或休眠状态时，可启用自刷新模式，此时芯片内部自行生成刷新定时信号，大幅降低功耗，非常适合便携式或电池供电设备使用。同时，其1.8V低电压设计相较于传统的2.5V DDR内存进一步减少了动态功耗，符合现代绿色电子产品的能效标准。
　　最后，K4S280832I-UI75 采用小型化的60-ball FBGA封装，具有优异的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。所有信号引脚均围绕芯片四周分布，便于阻抗匹配和布线优化，减少信号反射和串扰。此外，它完全兼容JEDEC JESD79-2F标准，确保与其他符合标准的控制器和外围器件无缝对接，提高了系统的互操作性和可靠性。

K4S280832I-UI75 主要应用于对成本、功耗和空间有一定要求但又需要较高内存带宽的嵌入式系统中。典型应用领域包括网络通信设备如路由器、交换机和网络附加存储（NAS）设备，这些系统通常配备中端嵌入式处理器，需要外扩高速缓存或主存以支持多任务处理和数据包转发功能。该芯片的128Mbit容量和DDR400速率足以满足大多数中低端网络设备的运行需求。
　　在工业控制与自动化领域，该内存常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、工业计算机和远程I/O模块中，作为操作系统和应用程序的运行内存。其宽温工作范围（0°C 至 +85°C）和高可靠性设计使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。
　　此外，该芯片也广泛用于消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、多媒体播放器、智能监控摄像头等。在这些设备中，K4S280832I-UI75 可为视频解码、图形渲染和用户界面操作提供必要的内存支持。由于其低功耗特性，特别适合集成在散热条件有限的小型化设备中。
　　在测试测量仪器、医疗电子设备以及车载信息娱乐系统中也有应用实例。这类应用通常要求元器件具备良好的长期供货能力和稳定的供应链，而三星作为全球领先的存储厂商，能够保障该型号的持续供应和技术支持。同时，由于其已被广泛验证和使用，许多设计公司将其作为标准DDR2颗粒纳入参考设计，缩短产品开发周期并降低风险。

K4T280832Q-UI75
　　MT47H64M16BF-3:B
　　EM63A165TS-6G