型号：K4R271669D-TCS8
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　容量：2 Gb（256 MB）
　　组织结构：16 Meg x 16 x 8 Banks
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　数据速率：800 Mbps（DDR3-1600）
　　时钟频率：800 MHz
　　访问时间：约10ns
　　I/O总线宽度：16位
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）
　　最大刷新电流：待机状态下典型值低于10mA
　　输入/输出逻辑：SSTL_15
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　数据选通模式：双向差分DQS
　　突发长度：支持BL8（突发长度8）
　　突发类型：顺序或交错
　　写入恢复时间（tWR）：15ns
　　行地址到列地址延迟（tRCD）：15ns
　　预充电时间（tRP）：15ns
　　周期时间（tRC）：45ns

K4R271669D-TCS8 具备多项先进技术特性，使其在同类DDR3内存芯片中表现出色。首先，该芯片采用16M x 16 x 8 banks的组织架构，提供高达2Gb的有效存储容量，能够满足中等复杂度系统对内存带宽和容量的需求。其核心基于CMOS技术构建，具备良好的噪声抑制能力和信号完整性，在高频运行下仍能保持稳定性能。
　　其次，该器件支持DDR3标准所定义的800MHz时钟频率，对应数据速率为1600Mbps（即DDR3-1600），通过双倍数据速率技术实现每个时钟周期传输两次数据，显著提升了数据吞吐能力。为了优化功耗表现，K4R271669D-TCS8引入了多种节能机制，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）和部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR）等功能，可在系统空闲或待机状态下大幅降低动态和静态电流消耗。
　　此外，该芯片配备了双向差分数据选通（DQS）信号，用于精确对齐读写操作中的数据流，提高时序精度并减少误码率。支持的突发长度为8，且可配置为顺序或交错模式，增强了数据访问的灵活性。内部集成了ZQ校准电路，支持外部参考电阻进行阻抗匹配调整，确保I/O驱动强度与PCB走线阻抗一致，从而提升信号质量。
　　在可靠性方面，K4R271669D-TCS8经过严格的老化测试和环境适应性验证，能够在0°C至+85°C的商业级温度范围内长期稳定运行。其FBGA-96封装具有较小的物理尺寸和优良的散热性能，适合高密度PCB布局。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于绿色电子产品设计。整体而言，这些特性使K4R271669D-TCS8成为一种高效、可靠且易于集成的DDR3内存解决方案。

K4R271669D-TCS8 主要应用于需要中等容量高速内存支持的各类电子系统中。其典型使用场景包括消费类电子产品如智能电视、机顶盒、数字视频录像机（DVR）和家庭网关设备，这些产品通常要求内存具备较高的数据处理能力和较低的功耗，以支持流畅的多媒体解码和多任务操作系统运行。
　　在网络通信领域，该芯片被广泛用于路由器、交换机和无线接入点等设备中，作为主内存用于缓存数据包、运行嵌入式操作系统及支持实时网络协议处理。由于其具备稳定的时序控制和可靠的刷新机制，非常适合长时间连续运行的网络基础设施。
　　在工业控制和自动化系统中，K4R271669D-TCS8可用于人机界面（HMI）、可编程逻辑控制器（PLC）和工业显示器等设备，提供足够的内存资源来支撑图形渲染、数据采集和实时控制算法执行。
　　此外，该芯片也常见于办公设备如激光打印机、多功能一体机和扫描仪中，用于临时存储打印任务、图像数据和固件运行空间。在部分中低端图形处理模块或视频编码卡中，也可作为帧缓冲存储器使用。
　　得益于其标准化接口和广泛的兼容性，K4R271669D-TCS8还能用于各种基于ARM、MIPS或PowerPC架构的嵌入式处理器平台，配合SoC（系统级芯片）共同构建完整的嵌入式系统解决方案。总之，该芯片凭借其性能与成本之间的良好平衡，成为众多中端嵌入式系统设计中的理想选择。

K4B2G1646E-BCK0
　　MT41K2G16JT-15E:K
　　IS43TR16256A-15DBI