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K4P2G324EC-AGC1 发布时间 时间:2025/11/12 20:03:38 查看 阅读:18

K4P2G324EC-AGC1是一款由三星(Samsung)推出的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其GDDR5系列的产品。该芯片主要面向高带宽需求的应用场景,如图形处理单元(GPU)、高端显卡、工作站以及需要快速数据访问的计算系统。K4P2G324EC-AGC1采用先进的封装技术和制造工艺,具备高速数据传输能力与良好的电气性能,能够在高频下稳定运行,满足现代图形渲染和并行计算对内存带宽的严苛要求。该器件以x32的组织结构提供2Gb(256MB)的存储容量,通过双倍数据率技术实现每个时钟周期传输两次数据,显著提升有效带宽。此外,该芯片支持自动刷新、自刷新和温度补偿等高级电源管理功能,在保证性能的同时优化功耗表现,适用于对散热和能效有较高要求的设计环境。

参数

型号:K4P2G324EC-AGC1
  制造商:Samsung
  产品系列:GDDR5
  存储容量:2Gb (256MB)
  组织结构:32M x 32
  电压:1.5V / 1.35V(典型值)
  接口类型:GDDR5专用接口
  最大时钟频率:1750MHz
  数据速率:7000 Mbps(每引脚)
  封装形式:FBGA
  引脚数:170-pin
  工作温度范围:0°C 至 +95°C(结温)
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  刷新模式:自动/自刷新支持
  数据总线宽度:32位

特性

K4P2G324EC-AGC1作为一款专为图形应用设计的GDDR5 SDRAM,具备多项关键技术特性以确保在极端负载下的高性能与稳定性。
  首先,它采用了差分时钟架构(Differential Clock),通过CK_t和CK_c信号对来提高时钟信号完整性,减少抖动影响,从而支持高达7000Mbps的数据传输速率。这种设计特别适合高频操作环境,有助于降低电磁干扰(EMI)并增强系统的抗噪能力。
  其次,该芯片支持多Bank并发操作机制,内部划分为多个独立的存储Bank,允许重叠的激活、读写和预充电操作,大幅提升内存访问效率。结合突发长度可编程(Burst Length Programmable)功能,可根据具体应用场景灵活配置数据传输模式,进一步优化吞吐量。
  再者,K4P2G324EC-AGC1集成了片上时钟驱动器(On-Die Termination, ODT)和动态ODT控制功能,可在读写过程中实时调整终端电阻匹配,改善信号反射问题,确保信号质量在高速传输中保持稳定。同时,其具备写入校准(Write Leveling)和延迟锁定环路(DLL)校准等功能,便于系统进行精确的时序对齐,提升整体可靠性。
  在电源管理方面,该器件支持多种低功耗模式,包括部分阵列自刷新(Partial Array Self Refresh, PASR)和深度掉电模式(Deep Power Down Mode),能够根据系统负载动态调节能耗,延长设备续航时间或降低热负荷。
  最后,该芯片经过严格的老化测试与可靠性验证,符合工业级温度标准,具备出色的耐久性和长期运行稳定性,适用于数据中心加速卡、高端游戏显卡及嵌入式视觉系统等关键任务场景。

应用

K4P2G324EC-AGC1广泛应用于对高带宽和低延迟有严格要求的电子系统中。
  最常见的用途是在独立显卡中作为帧缓冲内存(Frame Buffer Memory),用于存储纹理、顶点数据和渲染输出,支持复杂的3D图形处理与高清视频播放。其高数据速率使其成为NVIDIA和AMD等主流GPU平台的理想搭配元件,尤其适用于4K甚至8K分辨率下的实时渲染任务。
  此外,该芯片也被用于高性能计算(HPC)领域,例如AI推理加速器、FPGA协处理器模块和图像识别系统,这些应用通常依赖大量并行数据流处理,需要极高的内存吞吐能力来避免瓶颈。
  在专业级设备中,如数字标牌控制器、广播级视频编辑设备和虚拟现实(VR)头显系统中,K4P2G324EC-AGC1能够提供持续稳定的帧率表现,确保画面流畅无撕裂。
  由于其良好的温度适应性与电源管理特性,该芯片还可用于工业自动化中的机器视觉系统,支持高速摄像头采集图像后的即时处理与缓存。
  另外,在一些高端网络设备中,如路由器和交换机的流量处理引擎中,也会使用此类GDDR5芯片进行数据包暂存与查表操作,以提升转发效率。总之,凡是需要短时间完成大规模数据读写的场合,都是K4P2G324EC-AGC1的适用领域。

替代型号

K4G41325FE-HC03
  K4P4G324EC-BCGC
  MT51J256M32HF-70:B

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