时间：2025/8/20 20:35:39
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K4N51163QZ-HC200 是由三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速存储器器件，常用于需要高带宽和快速存取的电子系统中。该芯片是一款16Mbit容量的DRAM，采用同步工作方式，适用于需要高性能存储解决方案的工业、通信、嵌入式系统等领域。
容量：16Mbit
组织结构：1 Meg x16
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：54
时钟频率：最大可达166MHz
数据速率：333Mbps
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：Synchronous
数据宽度：16位
K4N51163QZ-HC200具备高速同步接口，支持快速数据传输和高效能处理，适合需要高带宽的系统设计。其16Mbit的存储容量与16位的数据宽度组合，使得它在图像处理、网络设备和通信模块等应用中表现出色。该芯片采用低功耗设计，能够在高频运行时保持相对较低的能耗，适合对功耗敏感的应用场景。
此外，K4N51163QZ-HC200具有宽电压范围（2.3V至3.6V），提供了灵活的电源设计选项，并增强了在不同环境下的适应性。其TSOP封装形式有助于提高封装密度，减少PCB布局的复杂性。工业级的工作温度范围确保该芯片能够在严苛的环境中稳定运行，适合工业控制、通信基础设施等应用场景。
该DRAM芯片还具备高可靠性和稳定性，符合严格的工业标准，适合用于需要长期运行和高稳定性的设备中。
K4N51163QZ-HC200广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络路由器、视频采集与处理设备、嵌入式系统以及需要高性能存储方案的各类电子设备。其高速和低功耗特性使其成为高性能数据缓冲和临时存储的理想选择。
K4N51163QZ-HC180, K4N51163QF-HC200, K4N51163AE-HC200
