类型：DRAM
　　子类：SDRAM，移动型（mSDRAM）
　　容量：256MB
　　组织结构：x32
　　电压：1.8V - 3.3V 可变
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　时钟频率：最高支持166MHz

K4M56323LE-EN1L0具备多项显著特性，使其在便携式电子设备中表现出色。
　　首先，它是一款移动型低功耗SDRAM，其核心电压可以在1.8V到3.3V之间调整，使得设备可以根据实际需求优化功耗表现，延长电池续航时间。这在移动电话、PDA和其他手持设备中尤为重要。
　　其次，该芯片采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小外形封装）技术，厚度较低，非常适合高密度安装和空间受限的应用场景。这种封装方式还提供了良好的散热性能，确保芯片在长时间运行下依然保持稳定。
　　此外，K4M56323LE-EN1L0的容量为256MB，采用x32的数据总线宽度，能够提供相对较大的数据带宽，适合需要快速数据处理的嵌入式系统和消费类电子产品使用。
　　最后，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，有效降低外部控制器的负担，提高系统的整体效率，并且能够在不同电源管理模式下保持数据完整性。

K4M56323LE-EN1L0广泛应用于多种低功耗、高性能需求的电子设备中。常见的应用场景包括但不限于：
　　1. 智能手机和平板电脑：作为主内存或图形缓存使用，提升设备的多任务处理能力和图形渲染速度。
　　2. 工业控制设备：用于数据缓存和临时存储，在复杂的工业环境中提供可靠的内存支持。
　　3. 多媒体播放器与数码相机：用于图像和视频数据的缓冲，提高读写效率。
　　4. 嵌入式系统：如车载导航系统、智能家电等，满足对空间和功耗敏感的设计需求。
　　5. 医疗设备：在便携式监测仪器和诊断设备中提供高效稳定的内存支持。

K4M56323BE-LN1L0, K4M56323AE-TC1H