型号：K4H510838J-BCCC00
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：64M x 8 或 32M x 16（逻辑）
　　电压：1.5V ±0.075V，支持1.35V低电压模式
　　封装类型：86-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）
　　最大时钟频率：800MHz（等效1600Mbps数据速率）
　　数据宽度：x8/x16 可配置
　　CAS 延迟（CL）：CL9/CL8/CL7 可选
　　刷新周期：64ms / 8192行 ≈ 7.8μs 自动刷新间隔
　　访问时间：约5ns（典型）
　　输入/输出电平：SSTL_15
　　是否含铅：无铅（RoHS合规）

K4H510838J-BCCC00具备多项先进特性以满足复杂系统的内存需求。首先，它采用了双倍数据率技术（DDR），能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，显著提高数据吞吐能力。其内部架构包含多个独立的存储体（banks），允许交错访问不同bank中的数据，从而减少等待时间并提升整体效率。该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式、预充电功率下降模式及自刷新模式，在非活跃状态下有效降低能耗，延长设备续航时间。
　　其次，器件集成了片上终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用内部匹配阻抗，减少信号反射和噪声干扰，增强高速信号完整性，尤其适用于高频率运行环境。此外，K4H510838J-BCCC00支持可编程的突发长度（Burst Length）和突发类型（顺序或交错），使主机控制器可以根据实际应用需求优化数据传输效率。内置的DLL（延迟锁定环）电路用于精确对齐输出时钟与数据边沿，确保在高频下仍能保持稳定的时序关系。
　　该芯片还具备强大的温度感应刷新机制（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR），可根据芯片内部温度自动调整自刷新速率，在高温环境下加强数据保持能力，防止因漏电增加导致的数据丢失。所有控制信号均与时钟同步，命令解码在时钟上升沿采样，确保操作的确定性和可靠性。整体设计兼顾性能、功耗与稳定性，使其成为中端嵌入式系统中理想的内存解决方案。

K4H510838J-BCCC00主要应用于对成本、功耗和空间有较高要求但又需要一定性能表现的中端电子系统。常见用途包括网络路由器、交换机和家庭网关等通信基础设施设备，这些设备通常需要快速响应数据包转发请求，并维持多个连接状态表，因此依赖于稳定且响应迅速的DRAM进行临时数据缓存。在工业自动化领域，如PLC控制器、人机界面（HMI）和远程I/O模块中，该芯片可用于存储运行时变量、程序堆栈及图形缓冲区。
　　此外，它也被用于部分消费类电子产品，例如智能电视、机顶盒、数字视频录像机（DVR）和多媒体播放器，用以支持操作系统运行、视频解码缓存和用户界面渲染。在医疗仪器、测试测量设备和POS终端中，该器件提供可靠的内存支持，保障关键任务数据的即时处理与暂存。由于其支持宽温度范围和高抗干扰能力，也适用于车载信息娱乐系统或工业级手持终端等较为严苛的工作环境。总体而言，凡是需要紧凑型、低功耗、中等容量DDR3内存的应用场景，K4H510838J-BCCC00都是一个成熟且经过市场验证的选择。

K4B511646J-BCK0
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　　EM63A165TS-6H