型号：K4H510838F-UCBC
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　容量：8Gbit (1GB)
　　组织结构：512M x 16
　　工作电压：1.35V / 1.5V 可选（支持VDD/VDDQ）
　　输入/输出电压：1.35V（支持低电压运行）
　　时钟频率：最高800MHz（等效数据速率1600Mbps）
　　数据速率：PC3-12800 / PC3L-12800（LPDDR3）
　　访问时间：约10-15ns（典型值）
　　封装类型：FBGA，96-ball
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.9mm
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　接口类型：CMOS，SSTL_135兼容
　　最大电流：IDD3N 典型值 350mA（活动模式）
　　待机电流：IDD2P 台式机模式下低于10mA
　　引脚数量：96
　　是否无铅：是（符合RoHS）

K4H510838F-UCBC 的核心特性之一是其支持双电压操作模式，允许在标准1.5V和节能型1.35V之间切换，从而实现灵活性与能效的平衡。当系统平台支持低电压运行时，可启用1.35V模式，显著降低功耗，尤其适用于笔记本电脑、平板设备及通信基站等注重能耗比的场景。
　　该芯片采用先进的CMOS工艺制造，内部集成高密度存储阵列，并通过优化的字线与位线结构提升读写速度与响应延迟。其支持突发长度可编程（BL=4/8），并具备顺序和交错两种突发模式选择，能够根据控制器需求灵活配置，提升数据吞吐效率。
　　在可靠性方面，K4H510838F-UCBC 内置温度传感器与自动刷新控制逻辑，可根据环境温度调整刷新率，在高温环境下保持数据完整性的同时减少不必要的功耗。同时支持局部阵列自刷新（Partial Array Self Refresh, PASR），允许关闭未使用的存储区域以节省电力。
　　此器件还具备强大的信号完整性设计，包括片内终端电阻（On-Die Termination, ODT）、写入水平化（Write Leveling）支持和可调驱动强度，确保在高频工作状态下仍能维持稳定的信号质量，降低误码率。这些特性使其特别适合用于多负载或长走线的内存子系统设计。
　　此外，该芯片支持ZQ校准功能，可通过外部参考电阻定期校正输出驱动和ODT阻抗，补偿由于电压波动和温度变化引起的阻抗漂移，保证长期运行中的电气性能一致性。所有这些高级功能共同构成了一个高效、可靠且节能的内存解决方案。

K4H510838F-UCBC 被广泛应用于各类需要大容量、高速度、低功耗内存支持的电子系统中。常见应用领域包括但不限于高端路由器、交换机和其他网络基础设施设备，其中大量并发数据包处理依赖于快速响应的内存子系统来保障服务质量（QoS）。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC主控模块、HMI人机界面设备以及边缘计算网关，提供足够的运行内存以支撑实时操作系统（RTOS）或多任务调度需求。
　　消费类电子产品如智能电视、机顶盒、数字录像机（DVR）也常采用此类DDR3颗粒作为主内存，满足高清视频解码、图形渲染和多应用并行运行的需求。
　　此外，在医疗成像设备、测试测量仪器和车载信息娱乐系统中，K4H510838F-UCBC 凭借其宽温工作能力与高可靠性表现，成为关键组件之一。
　　由于其FBGA小型封装特性，该芯片也被用于紧凑型嵌入式主板，例如基于ARM架构的应用处理器平台（如Exynos、i.MX系列）的参考设计板或定制开发板中，作为配套的主存颗粒使用。其兼容JEDEC标准的电气接口也简化了与其他控制器的匹配设计流程，缩短产品开发周期。

K4B2G1646E-BCWE
　　MTC8LCU170AG-P
　　NT5CC128M16FR-IKC