制造商：Samsung
　　产品系列：DDR2 SDRAM
　　存储容量：512 Mbit
　　组织结构：8M x 16Bit x 4 Banks
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　数据速率：266 Mbps（DDR2-266）
　　时钟频率：133 MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　CAS延迟（CL）：3 或 4
　　接口类型：并行
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　是否铅酸：无铅（RoHS合规）

K4H510838C-ZCB3作为一款标准的DDR2 SDRAM芯片，具备多项关键技术特性以满足中高端嵌入式系统的运行需求。
　　首先，其采用双倍数据速率技术（Double Data Rate），允许在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而在不提升时钟频率的前提下将有效数据传输速率翻倍。这种架构显著提升了内存带宽利用率，使得该芯片能够在133MHz的实际时钟下实现等效于266MT/s的数据传输能力，适用于对实时性要求较高的视频处理或网络数据缓存场景。
　　其次，该芯片支持多种可配置操作模式，通过写入模式寄存器可以灵活设定突发长度（Burst Length）、突发顺序（Sequential/Interleaved）、CAS延迟值（CL=3或CL=4）以及操作模式（如测试模式或正常操作）。这种灵活性使设计者可以根据具体应用优化性能与稳定性的平衡。
　　再者，K4H510838C-ZCB3集成了自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）机制，可在系统休眠或低功耗状态下维持数据不丢失。特别是自刷新功能，由内部电路自主管理刷新过程，无需外部控制器干预，极大降低了待机功耗，延长了便携设备的电池寿命。
　　此外，该器件采用了差分时钟输入（CK与CK#），增强了抗噪声能力和时序精度，提高了高频工作的可靠性。所有地址与控制信号均在差分时钟的上升沿采样，保证了同步操作的一致性。
　　最后，该芯片支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，能根据芯片内部温度传感器反馈的信息动态调节刷新周期。当温度升高时增加刷新频率以防止数据泄漏；温度较低时则减少刷新次数以节省能耗，这一特性特别适合部署在温控环境较差的工业现场或户外设备中。

K4H510838C-ZCB3因其适中的容量、可靠的性能和较低的功耗，广泛应用于多个电子系统领域。
　　在通信设备中，它常被用作路由器、交换机和DSL调制解调器中的主内存，用于缓存路由表、会话信息和网络数据包，保障高速数据转发的流畅性。
　　在消费类电子产品方面，该芯片曾出现在早期的智能电视、机顶盒和蓝光播放器中，支持图形界面渲染、媒体解码缓冲和操作系统运行所需的基本内存空间。
　　工业自动化控制系统也是其重要应用场景之一，例如PLC控制器、HMI人机界面终端和工业网关等设备利用该芯片进行实时数据采集与逻辑运算任务。
　　此外，在办公设备如激光打印机、多功能一体机中，K4H510838C-ZCB3可用于页面图像缓存和打印队列管理，提升输出效率。
　　安防监控领域的DVR/NVR录像机同样采用此类DDR2颗粒作为视频流编码前后的帧缓冲区，确保多路高清视频的连续录制与回放稳定性。
　　虽然随着技术进步，新型设备更多转向DDR3及以上标准，但K4H510838C-ZCB3仍在售后维修、备件替换和老旧系统维护中发挥重要作用，尤其在无法更换主板或升级架构的情况下，仍是理想的原厂兼容选型。

K4T51083QC-ZCB3
　　K4T510832Q-ZCB3
　　MT47H64M16HR-25E:J