类型：DDR3L SDRAM
　　容量：8Gb (1G x 8)
　　工作电压：1.35V ± 0.1V
　　最大频率：800MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps
　　封装类型：FBGA, 78-ball
　　存储架构：1G x 8
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新 / 温度补偿自刷新 (TCSR)
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (结温)
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　输入/输出电平：SSTL_135
　　突发长度：8 (固定或通过模式寄存器设置)
　　突发类型：顺序或交错
　　时钟频率：400MHz（实际时钟），数据速率1600Mbps
　　最小周期时间(tCK)：1.25ns
　　访问时间：约7.5ns (典型值)
　　掉电模式：支持深度掉电模式以节省功耗

K4H510838C-UCB3T00 具备多项先进特性，使其在低功耗、高性能和可靠性方面表现出色。首先，该芯片基于DDR3L技术标准，运行电压仅为1.35V，相较于传统1.5V DDR3内存可降低约15%的功耗，特别适用于对能效敏感的便携式设备和长时间运行的工业控制系统。其次，它集成了温度补偿自刷新（TCSR）功能，可以根据芯片内部温度自动调节刷新周期——在低温环境下减少不必要的刷新操作，从而显著降低动态功耗并延长电池寿命。这一机制不仅提高了能源利用效率，也增强了系统在极端温度条件下的稳定性。
　　该器件支持多种省电模式，包括预充电电源关闭、活动电源关闭和深度掉电模式。在深度掉电模式下，所有内部电路几乎完全断电，仅保留必要的状态信息，实现极低静态电流消耗，非常适合待机或休眠应用场景。此外，其内部采用多Bank架构设计，支持并发操作和高效命令调度，提升了整体访问效率和带宽利用率。为了确保高速信号完整性，芯片优化了内部布线和驱动能力，并支持ZQ校准功能，可对外部阻抗变化进行动态补偿，维持稳定的I/O接口性能。
　　K4H510838C-UCB3T00 还具备强大的错误恢复能力和时序控制机制。它支持标准DDR3命令集，如激活、读写、预充电、刷新等，并可通过模式寄存器配置突发长度、CAS延迟（CL）、写入延迟（CWD）等关键参数，灵活适配不同主控芯片的需求。其高集成度和小尺寸FBGA封装使得在空间受限的设计中也能轻松部署，同时有助于缩短走线长度，减少信号反射和串扰问题。整体而言，这些特性共同构成了一个高效、稳定且易于集成的内存解决方案，满足现代电子系统对性能与功耗的双重需求。

K4H510838C-UCB3T00 广泛应用于各类需要中高端内存性能但又注重功耗控制的电子系统中。常见用途包括网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，其中高速数据包缓存和临时存储需求大，该芯片提供的1600Mbps数据速率和低延迟响应能够有效提升系统吞吐量。在工业自动化领域，该器件被用于PLC控制器、人机界面（HMI）和运动控制单元，其宽温工作能力和高可靠性确保在恶劣工厂环境中长期稳定运行。
　　消费类电子产品也是其重要应用方向，例如智能电视、机顶盒、数字视频录像机（DVR）和多媒体播放器等，这些设备通常需要较大的运行内存来支持图形渲染和多任务处理，而K4H510838C-UCB3T00 的1G×8配置正好满足此类需求。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪和超声成像系统，该芯片因其低功耗和高稳定性而受到青睐，有助于延长设备续航时间并保障数据安全。
　　在嵌入式计算平台方面，该DRAM常与ARM架构处理器（如NXP i.MX系列、TI AM系列）或FPGA（如Xilinx Zynq、Intel Cyclone V SoC）配合使用，作为主系统内存提供快速的数据存取能力。无人机、车载信息娱乐系统（IVI）和ADAS辅助驾驶模块中也有广泛应用。由于其支持TCSR和多种节能模式，特别适合依赖电池供电或散热条件有限的应用场景。总体来看，K4H510838C-UCB3T00 是一个兼顾性能、功耗与可靠性的理想选择，适用于多样化、高性能要求的现代电子系统设计。

MT41K1G8SN-15E:Jat