时间：2025/7/16 12:58:03
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K4H510438G是由三星（Samsung）生产的一款DDR3 SDRAM内存颗粒。该芯片采用先进的制程工艺制造，广泛应用于台式机、笔记本电脑以及嵌入式设备中的内存模块。它具备高带宽、低功耗的特点，并且符合JEDEC标准规范。
该芯片的容量为4Gb（512MB），单颗芯片即可提供较大的存储空间，适用于构建不同规格的内存条（如2GB、4GB等）。其工作电压为1.35V或1.5V，支持多种频率选项以满足不同平台的需求。
容量：4Gb (512MB)
类型：DDR3 SDRAM
组织结构：512M x 8
核心电压(Vcc)：1.35V / 1.5V
I/O电压(Vccq)：1.35V / 1.5V
数据速率：800Mbps ~ 1600Mbps
封装形式：BGA 78-ball
工作温度：-40°C ~ +85°C
引脚间距：1.0mm
K4H510438G是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片，具有以下特点：
1. 高速传输：支持高达1600Mbps的数据速率，确保快速的数据交换和处理能力。
2. 低功耗设计：可选择1.35V或1.5V的工作电压，有效降低能源消耗。
3. 稳定性强：通过严格的测试流程，保证在各种环境下的稳定运行。
4. 兼容性强：符合JEDEC DDR3标准，能够与主流平台无缝兼容。
5. 多样化的应用：不仅适用于传统的计算机系统，还可以用于网络设备、工业控制及消费类电子产品中。
K4H510438G主要应用于需要大容量和高性能内存的场景，包括但不限于：
1. 台式机和笔记本电脑内存条：
- 构建2GB或4GB内存条，为主流计算平台提供足够的存储空间。
2. 工业级设备：
- 在嵌入式系统、服务器和网络设备中作为缓存或主存储器使用。
3. 消费电子：
- 支持高清电视、游戏机和其他多媒体设备的高效运行。
4. 特殊用途：
- 在需要长时间稳定运行的环境中，例如监控系统、医疗设备等领域。
K4B511646Q, MT41K512M8, H9TQ25ACCPMMDR
