型号：K4H510438C-UCB0
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR3L SDRAM
　　容量：8Gb (1G x 8)
　　电压：1.35V ± 0.1V
　　数据速率：最高1600 Mbps (800MHz时钟)
　　封装类型：FBGA, 78-ball
　　组织结构：8 banks x 1,073,741,824 bits
　　工作温度：0°C 至 95°C (结温)
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 7.8μs 自动刷新间隔
　　访问时间：约10ns（典型值）
　　接口类型：并行同步接口
　　时钟频率：最高800MHz
　　CAS 延迟（CL）：可配置，典型值为11, 10, 9
　　突发长度：支持BL8, BC4, BTI模式
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm（近似）

K4H510438C-UCB0 具备多项先进技术特性，使其在现代嵌入式和通信系统中表现出色。首先，该芯片采用DDR3L标准，运行电压仅为1.35V，相比传统DDR3的1.5V降低了约20%的功耗，特别适合用于便携式设备或长时间运行的服务器模块中，有助于提升整体系统的能效比。其8Gb的大容量设计允许单颗芯片提供较大的存储空间，在减少PCB上所需元件数量的同时提高了布线灵活性和可靠性。
　　其次，该器件支持高达1600Mbps的数据传输速率，配合800MHz的时钟频率和可配置的CAS延迟（CL9/CL10/CL11），可在不同性能需求下灵活调整时序参数，平衡速度与稳定性。内部8 Bank架构允许多个独立内存区域交替操作，有效提升了并发访问效率，减少了等待时间，尤其在处理大量连续数据流（如视频缓冲、网络包转发）时表现优异。
　　此外，K4H510438C-UCB0 集成了多种电源管理功能，包括自动刷新、自刷新模式、部分阵列自刷新（PASR）以及深度掉电模式，能够在空闲或待机状态下大幅降低动态和静态功耗。其FBGA-78封装不仅体积小巧，还具备优良的热传导性能和抗干扰能力，适应高温、高湿等严苛工业环境。所有控制、地址和数据信号均与时钟双边沿对齐，实现高速同步传输，并通过片内终端（ODT）技术改善信号完整性，减少反射和噪声影响。
　　该芯片还支持ZQ校准功能，可对外部参考电阻进行定期校正，确保输出驱动强度和输入匹配精度长期稳定。其制造工艺遵循JEDEC标准规范，兼容主流处理器平台的内存控制器，简化了系统集成过程。内置的纠错机制和冗余设计增强了数据可靠性，适用于对稳定性要求极高的工业自动化、医疗设备和车载电子等领域。

K4H510438C-UCB0 广泛应用于需要中高密度、低功耗内存解决方案的各类电子系统中。常见用途包括但不限于：网络通信设备（如路由器、交换机、基站基带单元），其中其高速数据吞吐能力和多bank并发访问特性可有效支撑数据包缓存与转发任务；工业控制系统（如PLC、HMI、运动控制器），利用其宽温特性和高可靠性保障长期稳定运行；嵌入式计算平台（如工控机、边缘AI网关、数字标牌），借助其大容量和低电压优势实现高性能与节能兼顾的设计目标。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，例如智能电视、机顶盒、NAS存储设备等，用于系统主存或图像缓冲区，满足多媒体处理对内存带宽的需求。在医疗仪器领域，如超声成像设备、监护仪中，K4H510438C-UCB0 的稳定时序控制和低误码率特性有助于保障关键数据的准确读写。同时，由于其符合RoHS环保标准且无铅封装，适合出口型产品和绿色电子产品认证要求。在军事与航空航天的部分非极端环境下，也可作为二级存储模块使用，前提是满足相应的筛选与测试流程。

K4B1G0846F-BCMA
　　MT41K1G8JT-125:A
　　IS43TR16512B-125KB