时间：2025/11/12 13:37:30
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K4H280838E-TCCC是三星（Samsung）公司生产的一款DDR3 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的内存产品系列。该器件广泛应用于需要高速数据处理和大容量缓存的电子系统中，如网络设备、工业控制、嵌入式系统以及部分消费类电子产品。K4H280838E-TCCC采用8Gb（1GB）的存储密度配置，组织结构为128M x 8 I/O位宽，支持标准的DDR3接口协议，并工作在1.5V标称电压下，符合JEDEC DDR3标准规范。该芯片封装形式为小型FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有良好的电气性能与散热特性，适用于高密度PCB布局设计。其工作温度范围通常为商业级（0°C至+85°C），满足大多数常规应用场景的需求。K4H280838E-TCCC支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）、部分阵列自刷新（PASR）等节能功能，能够在不同负载条件下优化功耗表现。此外，该芯片具备差分时钟输入（CK/CK#）、数据选通信号（DQS/DQS#）以及时钟使能（CKE）等功能引脚，确保在高频运行下的信号完整性与时序稳定性。通过模式寄存器编程，用户可配置突发长度、突发类型、CAS延迟（CL）、写入突发模式等多种操作参数，从而适配不同的系统需求。K4H280838E-TCCC还集成了片上终结电阻（ODT），有助于减少外部匹配元件数量并提升信号质量。作为一款成熟的DDR3颗粒，它在多个世代的产品中被广泛采用，尤其在替代早期DDR2方案时展现出显著的带宽与能效优势。
型号：K4H280838E-TCCC
制造商：Samsung
存储类型：DDR3 SDRAM
存储容量：8 Gb (1024 MB)
组织结构：128M x 8
电压：1.5V ± 0.075V
工作温度：0°C 至 +85°C
封装类型：FBGA
引脚数：96-ball
时钟频率：最高800 MHz（等效1600 Mbps数据速率）
CAS 延迟（CL）：可配置，典型值 CL9, CL10, CL11
数据速率：DDR3-1600（PC3-12800）
I/O 总线宽度：8-bit
刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
特性功能：On-Die Termination (ODT), Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), Partial Array Self Refresh (PASR)
兼容性：JEDEC标准 DDR3
封装尺寸：9mm x 13mm（近似）
K4H280838E-TCCC 具备多项先进的技术特性，使其在DDR3内存市场中具备较强的竞争力。首先，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，结合内部电路优化设计，在保证高频运行的同时有效降低了功耗，尤其在待机或轻载状态下通过自刷新和温度补偿自刷新（TCSR）机制显著延长了系统的电池寿命或减少了整体能耗。其内置的片上终结电阻（ODT）功能可在读写过程中动态启用，匹配传输线阻抗，抑制信号反射，提高数据传输的稳定性和可靠性，特别适合高密度布线或多负载拓扑结构。
其次，该器件支持多种可编程模式寄存器设置，允许系统根据实际应用需求灵活调整突发长度（Burst Length，支持4或8）、突发顺序（顺序或交错）、写入模式（单点写入或突发写入）以及CAS延迟（CL）。这种灵活性使得K4H280838E-TCCC能够适应不同主控芯片（如FPGA、SoC或处理器）的时序要求，提升了系统集成的兼容性。此外，差分时钟架构（CK/CK#）增强了抗干扰能力，确保在高频操作下仍能维持精确的时钟边沿采样，从而实现可靠的数据捕获。
再者，该芯片具备良好的热稳定性与长期可靠性，经过严格的出厂测试和老化筛选，确保在商业级温度范围内长时间稳定运行。其FBGA封装不仅体积紧凑，有利于节省PCB空间，而且具备优良的散热路径，可通过焊球将热量传导至PCB地层进行散发。对于多芯片堆叠（PoP, Package on Package）或并联扩展的应用场景，K4H280838E-TCCC也表现出优异的电气一致性与互操作性。最后，作为三星成熟DDR3产品线的一员，该型号拥有稳定的供应链和技术支持，便于批量采购与产品生命周期管理。
K4H280838E-TCCC 主要应用于对内存带宽和功耗有一定要求的中高端电子系统中。其典型应用场景包括但不限于网络通信设备，如路由器、交换机和基站模块，这些设备需要高速缓存大量数据包并进行实时转发处理，因此依赖于高吞吐量且响应迅速的DRAM资源。在工业自动化与控制领域，该芯片可用于PLC控制器、人机界面（HMI）、工业计算机等设备中，提供稳定可靠的运行内存支持。
此外，K4H280838E-TCCC 也被广泛用于嵌入式系统平台，特别是基于ARM架构的应用处理器或FPGA的开发板中，作为主内存使用。例如，在视频监控系统、医疗成像设备、POS终端及智能仪表中，该芯片能够满足图像缓冲、数据采集与临时存储的需求。由于其具备较低的功耗特性和良好的温度适应性，也可用于部分便携式设备或边缘计算节点中，尤其是在需要持续运行且维护周期较长的场合。
在消费类电子产品方面，虽然主流智能手机和平板电脑已转向LPDDR系列，但某些中低端平板、电子书阅读器或多媒体播放器仍可能采用标准DDR3颗粒，此时K4H280838E-TCCC 可作为可行选项之一。同时，在固件开发、原型验证和测试平台搭建过程中，工程师常选用此类标准化、易获取的DDR3芯片进行硬件调试与性能评估。总体而言，只要系统主控支持标准DDR3接口并需要约1GB容量的x8颗粒，K4H280838E-TCCC 就是一个值得考虑的技术选择。
K4B280838D-TCCB
MT41J256M8HH-15E:
EM63A165TS-3GQ
