型号：K4H280438B-TCBO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR2 SDRAM
　　存储容量：256 Mbit (64M x 4)
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　数据速率：最高支持400 Mbps（DDR2-400）
　　时钟频率：200 MHz
　　封装类型：60-ball FBGA (8mm x 13mm)
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (结温)
　　刷新模式：自动/自刷新可选
　　访问模式：突发模式支持
　　输入/输出逻辑电平：SSTL_18
　　引脚数量：60
　　存储架构：64M x 4组织
　　预充电延迟：tRAS = 45ns 典型值
　　行地址周期时间：tRC = 60ns 典型值
　　列地址选通延迟：CL = 3 或 4 可配置

K4H280438B-TCBO 具备多项关键特性，使其在DDR2内存产品中表现出良好的稳定性与兼容性。首先，该芯片基于双倍数据率第二代同步动态随机存取存储器技术，能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而有效提升数据吞吐能力。其核心频率为100MHz，通过倍频实现200MHz的有效时钟频率，支持高达400Mbps的数据传输速率（即DDR2-400标准），满足多数中端嵌入式系统的带宽需求。其次，该器件采用64M x 4的存储组织方式，每芯片提供256Mbit的总容量，适合多芯片并联构建更大位宽的内存子系统，例如组合成32位或64位总线架构。
　　在电源管理方面，K4H280438B-TCBO 设计有低功耗机制，包括自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）模式，在系统空闲或待机状态下显著降低功耗，适用于对能效有一定要求的应用场景。此外，其输入输出接口采用SSTL_18（Stub Series Terminated Logic）标准，具备良好的噪声抑制能力和信号完整性，确保高速运行下的数据可靠性。封装上使用60-ball FBGA，尺寸紧凑（8mm × 13mm），便于在空间受限的电路板上布局，并有助于提高热传导效率。
　　该芯片还支持多种操作模式，包括突发读写、顺序/交错突发模式选择、可编程CAS延迟（通常设为CL=3或CL=4）等功能，增强了系统设计的灵活性。内置的温度传感器和精密时序控制逻辑进一步提升了其在复杂环境中的适应能力。整体而言，K4H280438B-TCBO 是一款成熟可靠的DDR2内存解决方案，尤其适用于需要长期供货保障和稳定性能的工业及消费类应用平台。

K4H280438B-TCBO 主要应用于各类需要中等容量高速内存支持的电子设备中。常见用途包括网络通信设备如路由器、交换机和接入点，这些设备在数据包缓存和转发过程中依赖稳定的DRAM性能来维持高吞吐量和低延迟。此外，它也被广泛用于数字机顶盒、多媒体播放器和智能电视等消费类电子产品中，用于视频解码缓冲和操作系统运行内存支持。
　　在办公自动化领域，该芯片可用于激光打印机、多功能一体机和扫描仪等设备中，协助图像数据处理和任务队列管理。工业控制系统如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和嵌入式工控机也常采用此类DDR2颗粒，因其具备良好的温度适应性和长期供货稳定性。
　　此外，一些老旧的计算机模块、POS终端、医疗监控设备以及汽车信息娱乐系统中也可能集成K4H280438B-TCBO 或其兼容型号。由于当前主流内存已升级至更高代际，该芯片更多用于现有产品的维护、替换和升级，而非全新设计项目。然而，在特定行业领域内，其成熟的技术方案和较低的成本仍具有不可替代的优势。

K4H561638C-TCBO
　　K4H281638C-TCBO
　　MT47H64M16HR-25E