时间：2025/7/18 9:19:19
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K4FBE3D4HM-MGCJ是由三星（Samsung）生产的一款DDR5 SDRAM内存芯片。该芯片主要用于高性能计算、服务器和数据中心应用，具有高带宽、低功耗的特点，支持最新的DDR5内存标准。
DDR5相较于DDR4在性能上有显著提升，包括更高的数据传输速率、更大的存储密度以及更先进的ECC纠错功能，从而为下一代计算平台提供了强大的支持。
类型：DDR5 SDRAM
容量：8Gb (1GB)
工作电压：1.1V
数据速率：4800 Mbps
封装类型：FBGA
引脚数：76-ball
温度范围：-25°C to +85°C
工艺技术：10nm级
K4FBE3D4HM-MGCJ采用了先进的10nm级制程技术制造，确保了更高的能效和更低的功耗。其4800Mbps的数据传输速率极大地提升了系统性能，特别是在需要处理大量数据的应用场景中。
此外，该芯片内置了片上纠错码（On-Die ECC），能够有效检测和纠正单比特错误，提高数据完整性和可靠性。
支持多 rank 架构和高级电源管理功能，进一步增强了系统的稳定性和可扩展性。同时，通过优化的信号完整性设计，保证了在高频运行下的稳定性。
K4FBE3D4HM-MGCJ适用于对性能要求极高的领域，如服务器、工作站、高性能计算（HPC）、人工智能（AI）训练和推理、云计算平台等。由于其卓越的带宽和能效表现，它也适合用于图形处理单元（GPU）加速卡和网络设备中的内存扩展。
此外，在企业级存储解决方案和边缘计算设备中，这款芯片同样展现了出色的表现。
K4EBE304EB-MGCJ
K4F6E3D4HB-MGCJ
