型号：K4EBE304EC-EGCF
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：16Gb (2GB)
　　位宽：32位
　　接口：单端I/O
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V，VPP = 1.8V
　　最大数据速率：14 Gbps per pin
　　封装类型：FBGA, 136-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　刷新模式：自动与自刷新
　　时钟频率：7 GHz（有效时钟，双倍数据速率）
　　组织结构：2G x 32

K4EBE304EC-EGCF作为三星GDDR6产品线中的关键成员，具备多项先进特性，使其在高性能图形和计算应用中表现出色。首先，该芯片采用了新一代GDDR6架构，支持高达14 Gbps的引脚数据速率，是前代GDDR5和GDDR5X的显著升级。这种高速率通过优化的预取架构和差分时钟设计实现，能够在不增加系统复杂性的前提下大幅提升内存带宽。其内部采用16n预取技术，并结合双通道体系结构，将核心访问效率最大化，确保GPU能够持续获得所需的数据流，避免瓶颈。
　　其次，该器件在功耗管理方面进行了深度优化。工作电压降至1.35V（VDD/VDDQ）和1.8V（VPP），相比早期GDDR5的1.5V供电方案更加节能，特别适合对热设计功率（TDP）敏感的设备，如笔记本显卡或密集部署的AI服务器。同时，芯片内置多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新（PASR）、温度补偿自刷新（TCSR）和深度掉电模式，可根据系统负载动态调整能耗状态，延长移动设备续航时间并减少散热需求。
　　再者，K4EBE304EC-EGCF具备优异的信号完整性和抗干扰能力。其I/O接口经过阻抗匹配优化，并支持可编程驱动强度和ODT（片上终端），有效减少反射和串扰，保障在高频下的稳定通信。此外，该芯片支持VPP伪开漏（pseudo open drain）写入辅助技术，提升了写入裕量和眼图质量，进一步增强了系统的鲁棒性。
　　最后，该器件具有良好的兼容性和可扩展性，常被多颗并联使用以构建更大位宽的内存子系统（例如256位或384位总线宽度），广泛应用于NVIDIA和AMD的旗舰级显卡中。其封装尺寸小巧，采用136球FBGA，适应高密度PCB布线要求，且符合RoHS环保标准。

K4EBE304EC-EGCF主要应用于对带宽和性能要求极高的图形与计算领域。其最典型的应用场景是独立显卡（dGPU），尤其是用于游戏显卡、专业图形工作站和数据中心GPU加速卡。在现代高端显卡中，多颗K4EBE304EC-EGCF芯片围绕GPU布置，构成高带宽内存子系统，为GPU核心提供快速的数据访问能力，支持4K甚至8K分辨率下的流畅渲染、实时光线追踪和高帧率输出。这类显卡常见于NVIDIA GeForce RTX 40系列或AMD Radeon RX 7000系列等产品中。
　　除了图形处理，该芯片也广泛用于人工智能（AI）和机器学习（ML）推理与训练平台。在AI加速器如TPU、IPU或FPGA协处理器中，GDDR6提供了比传统DDR内存更高的吞吐量，能够满足神经网络模型对大规模权重和激活值快速读取的需求。特别是在边缘AI设备和云端推理服务器中，K4EBE304EC-EGCF凭借其高密度和低延迟特性，成为理想的显存选择。
　　此外，该器件还可用于高性能计算（HPC）系统、视频编辑与后期制作设备、虚拟现实（VR）/增强现实（AR）头显、高端嵌入式视觉系统以及5G基站中的数据处理模块。其宽温度范围和高可靠性设计也使其适用于工业级和部分汽车电子应用场景，如车载信息娱乐系统或自动驾驶感知模块的图像处理单元。

K4ZAF324BM-HCDB
　　MICRON MT60B2G8HB-14W:
　　HYNIX H56G32PM6D-X2A