时间：2025/11/12 21:47:41
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K4E4E324EE-EGCE 是由三星（Samsung）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于DDR3L SDRAM系列。该器件主要面向需要低功耗与高性能平衡的应用场景，广泛应用于移动计算设备、嵌入式系统以及网络通信设备中。这款芯片采用FBGA封装形式，具有较高的存储密度和较快的数据传输速率，能够在1.35V的低电压下稳定工作，符合JEDEC标准的DDR3L规范。K4E4E324EE-EGCE 的命名遵循三星DRAM的型号规则，其中‘K4’代表DRAM产品线，‘E’表示DDR3技术，‘4E’指明容量为4Gb，‘324’表明内部结构为32M x 4 banks x 32位数据宽度，而‘EE’通常代表特定的电气特性或版本，‘EGCE’则标识了其封装类型与温度等级（如商用级温度范围0°C至85°C）。该芯片支持自动刷新、自刷新模式和温度补偿自刷新等功能，以优化功耗管理。此外，它还具备良好的信号完整性设计，适用于高密度PCB布局环境。
类型：DDR3L SDRAM
密度：4 Gb
组织结构：32M x 4 banks x 32位
工作电压：1.35V ± 0.1V
最大时钟频率：800 MHz（等效数据速率1600 Mbps）
数据宽度：32位
封装类型：FBGA
引脚数：96-pin
工作温度范围：0°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +100°C
刷新周期：标准为7.8μs（在常温下）
最小CAS延迟（CL）：11
封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm
工艺技术：基于先进深亚微米工艺制造
K4E4E324EE-EGCE 作为一款低电压 DDR3L 存储芯片，具备多项关键技术特性，使其在嵌入式与便携式设备中表现出色。首先，其工作电压仅为 1.35V，相较于传统 DDR3 的 1.5V 明显降低，从而有效减少了系统整体功耗，特别适合对能效要求严格的移动平台和电池供电设备。这种低电压设计不仅延长了设备续航时间，也降低了散热需求，有助于实现更紧凑的热设计。其次，该芯片支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率（即 PC3-12800 标准），能够满足中高端处理器对内存带宽的需求，确保系统运行流畅，尤其适用于图形处理、多任务操作和实时数据流处理等应用场景。
在架构方面，K4E4E324EE-EGCE 采用 32M x 32 位的组织方式，总容量为 4Gb（即 512MB），适合作为主控芯片的外部主存使用。其内部包含多个独立的存储阵列（banks），支持交错访问机制，提高了连续读写效率。芯片内置先进的地址/命令解码逻辑与时序控制单元，兼容 JEDEC 标准命令集，包括激活、读取、写入、预充电和自动刷新等操作，保证了与其他系统的良好互操作性。此外，该器件支持多种省电模式，如自刷新（Self-refresh）、部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可在系统休眠或待机状态下大幅降低静态电流消耗。
为了提升信号完整性和抗干扰能力，K4E4E324EE-EGCE 在封装设计上采用了优化的布线结构和阻抗匹配技术，减少串扰和反射现象，适用于高频工作的 PCB 设计。同时，其 96 球 FBGA 封装具有较小的占板面积和良好的热传导性能，便于在空间受限的设备中进行高密度集成。该芯片还通过了严格的质量认证，具备高可靠性和长期供货保障，适用于工业级和消费级应用。最后，其兼容主流 SoC 平台（如某些 ARM 架构处理器）的内存控制器接口，简化了硬件设计流程，缩短产品开发周期。
该芯片广泛应用于平板电脑、超极本、网络路由器、智能电视、工业控制设备、车载信息娱乐系统以及各类嵌入式计算平台中，作为主内存或高速缓存使用。
K4B4G1646E-BCWE
K4B4G1646D-BCWE
MT41K512M32-HBL
