时间：2025/11/14 9:08:24
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K4D553238F-GC36是一款由三星（Samsung）生产的高性能动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于其GDDR5系列，专为高带宽需求的应用场景设计。该芯片广泛应用于图形处理单元（GPU）、高端显卡、网络设备以及需要高速数据吞吐的嵌入式系统中。K4D553238F-GC36采用先进的封装技术和制造工艺，具备较高的数据传输速率和能效比，适用于现代计算平台对内存性能日益增长的需求。该器件工作在1.5V的标准电压下，支持双倍数据率技术（DDR），能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而显著提升数据传输效率。此外，该芯片内部架构采用多bank设计，支持突发模式访问，进一步优化了读写操作的延迟与带宽表现。K4D553238F-GC36通过80-ball FBGA封装形式实现紧凑布局，便于在空间受限的设计中使用，并确保良好的散热性能和电气特性稳定性。作为GDDR5标准的一部分，该芯片遵循JEDEC相关规范，保证了与其他系统的兼容性及长期供货的可靠性。
型号：K4D553238F-GC36
制造商：Samsung
存储类型：GDDR5 SDRAM
组织结构：32M x 32 x 8 banks
总容量：8Gb（1GByte）
数据宽度：32位
工作电压：1.5V ±0.075V
IO电压：1.2V
最大时钟频率：1800MHz
数据速率：3600Mbps（Gbps）
封装类型：80-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
引脚间距：0.8mm
工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
刷新周期：≤ 64ms
访问时间：<10ns
功耗：典型值约2.8W（依工作负载而定）
K4D553238F-GC36具备多项先进特性以满足高性能图形和计算应用的需求。首先，其采用GDDR5架构，支持高达3600Mbps的数据传输速率，通过源同步接口和差分时钟机制实现高速稳定的数据传输。该芯片内部集成了八个独立的存储bank，允许交错访问以最大化带宽利用率，并减少等待时间。每个bank可独立进行激活、读取、写入和预充电操作，提升了并发处理能力。
其次，该器件支持自动刷新和自刷新模式，在保持数据完整性的同时有效降低功耗，尤其适用于移动或节能型系统。其内置的温度传感器可监控芯片内部温度变化，并配合动态调整刷新率功能（如TCSR和TFA），确保高温环境下仍能可靠运行。此外，K4D553238F-GC36具备出色的信号完整性和抗噪声能力，得益于优化的I/O电路设计和片上终端匹配技术（On-Die Termination, ODT），减少了反射和串扰问题，提高了高频工作的稳定性。
该芯片还支持多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式（Deep Power Down），可根据系统需求灵活调节能耗。其差分数据选通（DQS_t, DQS_c）机制确保了精确的采样时序控制，提升了数据捕获的准确性。另外，K4D553238F-GC36具备良好的热性能设计，FBGA封装结合底部散热焊盘，有助于热量快速传导至PCB，避免局部过热影响寿命与性能。整体设计兼顾速度、功耗与可靠性，使其成为高端GPU和专业图形卡的理想选择。
K4D553238F-GC36主要应用于对内存带宽和响应速度要求极高的电子系统中。最常见的用途是作为独立显卡中的显存颗粒，广泛用于桌面级和工作站级别的图形处理单元（GPU），支持高分辨率渲染、三维建模、视频编辑以及游戏图形处理等任务。其高数据速率能够满足4K甚至8K视频流的实时处理需求，确保画面流畅无卡顿。
此外，该芯片也适用于高性能计算（HPC）领域，例如AI推理加速卡、数据中心专用加速器以及FPGA协处理器模块，这些场景通常需要快速访问大量中间计算数据。在网络通信设备中，如高端路由器、交换机和网络接口卡（NIC），K4D553238F-GC36可用于缓存高速数据包，提升转发效率和吞吐量。
在工业视觉系统、医疗成像设备（如MRI、CT图像处理）以及雷达信号处理系统中，该芯片同样发挥重要作用，支持大尺寸图像的快速读取与处理。由于其稳定的电气特性和宽温工作能力，也可部署于部分军用或航天电子系统中，用于实时图像采集与分析。总之，任何需要高吞吐量、低延迟图形或数据处理能力的设备都可以从K4D553238F-GC36的性能优势中受益。
K4G41325FE-HC03
K4D51323QC-ZC30
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