型号：K4D26323RA-GC33
　　制造商：Samsung
　　类型：DDR2 SDRAM
　　容量：512 Mbit
　　组织结构：32M x 16
　　工作电压：1.8V ±0.1V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　最大时钟频率：333 MHz (对应于PC2-5300)
　　数据速率：667 Mbps (DDR)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C (商业级) 或 -40°C 至 +85°C (工业级)
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 约7.8μs
　　CAS等待时间（CL）：4, 5, 6 可选
　　突发长度：4 或 8
　　接口类型：CMOS, 差分时钟输入
　　是否含铅：无铅（RoHS合规）

K4D26323RA-GC33 具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR2内存产品中表现出色。首先，该芯片采用了双倍数据速率架构，在系统时钟的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效提升了数据带宽，最高可达5.3GB/s（PC2-5300标准），满足了对高速数据访问的需求。其内部核心频率为166.7MHz，通过2倍预取架构实现外部667Mbps的数据速率，这种设计在保持较低内部操作频率的同时实现了高外部传输率，有助于减少信号完整性和功耗方面的挑战。
　　其次，该器件支持自动刷新和自刷新功能，能够根据系统状态智能管理内存刷新操作。在自刷新模式下，控制器可以进入深度睡眠状态，而内存仍能维持数据完整性，极大降低了系统整体功耗，非常适合用于需要长时间待机的嵌入式应用。此外，芯片集成了可编程CAS潜伏期（CL=4/5/6）、突发长度（BL=4或8）和突发类型控制，允许系统设计者根据实际性能与延迟要求灵活配置内存时序参数，优化系统响应速度与稳定性。
　　再者，K4D26323RA-GC33 采用差分时钟输入（CK/CK#）机制，提高了时钟信号的抗噪声能力和时序精度，确保在高频操作下的可靠数据捕获。配合双向数据选通DQS信号，实现了精确的源同步读写对齐，大幅提升了数据传输的准确性。其FBGA-90封装具有良好的热性能和电气性能，支持表面贴装工艺，便于自动化生产，并可在有限空间内实现高密度布板。所有输入/输出引脚均兼容LVCMOS电平，易于与多种主控芯片（如FPGA、DSP或嵌入式处理器）直接连接，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。最后，该芯片通过严格的可靠性测试，具备出色的抗干扰能力和长期运行稳定性，符合绿色环保标准，是工业与通信领域理想的内存解决方案之一。

K4D26323RA-GC33 广泛应用于各类对性能和功耗有平衡要求的电子系统中。在通信基础设施方面，常用于路由器、交换机、基站模块等网络设备中作为数据缓冲或包处理内存，利用其高带宽特性加速数据转发效率。在工业控制系统中，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业计算机及运动控制卡中，用于实时任务调度和程序运行支撑，保障系统响应的及时性与稳定性。此外，在消费类电子产品中，如高端机顶盒、数字视频录像机（DVR）、多媒体播放器等，也常见该型号的身影，用以支持高清视频解码与图形渲染所需的临时数据存储。
　　在嵌入式系统开发平台中，K4D26323RA-GC33 常作为FPGA或ARM架构处理器的外部扩展内存使用，尤其是在Xilinx或Altera FPGA项目中，当片上存储资源不足时，该DDR2颗粒提供了经济高效的外扩方案。由于其支持自刷新和低功耗模式，也被用于部分便携式医疗设备、测试仪器和车载信息娱乐系统中，在保证性能的同时兼顾能效表现。此外，一些老旧但仍在服役的服务器主板或工控主板也可能采用此类DDR2颗粒进行内存模组构建。尽管当前主流市场已向DDR3/DDR4/DDR5演进，但由于其成熟的技术、稳定的供货和较低的成本，K4D26323RA-GC33 仍在特定行业维护和升级项目中持续发挥重要作用。

K4D26323RE-SC40
　　MT47H64M16HR-25E:J
　　IS43TR16256A-6BLI