型号：K4D263238I-UC50000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：16 Gb (2GB, 2 Gigabit x 32)
　　位宽：32位
　　数据速率：16 Gbps（每引脚）
　　接口类型：单端与差分混合信号接口
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V ± 0.05V，VPP = 1.8V
　　封装形式：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　封装尺寸：根据具体版本可能为13mm x 14mm或相近规格
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：8 GHz（有效数据速率通过双沿采样达到16 Gbps）
　　输入/输出标准：支持GDDR6专用电气规范
　　刷新模式：支持自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新
　　特性集：支持ZQ校准、写入时延调整、读取时延控制等高级时序调节功能

K4D263238I-UC50000 具备多项先进技术特性，使其在高带宽应用场景中表现出色。首先，该芯片采用了GDDR6架构中的双通道伪开漏（Pseudo Open Drain, POD）I/O设计，将内部核心分为两个独立的子通道，每个通道宽度为16位，组合后实现32位总线宽度。这种设计不仅提升了数据传输效率，还降低了信号干扰和功耗。其次，其高达16 Gbps的数据传输速率使得单颗芯片即可提供51.2 GB/s的理论带宽（16 Gbps × 32 bits / 8），极大地增强了系统的并行处理能力。为了确保高速信号完整性，该器件引入了均衡技术、预驱动控制和接收端终端匹配机制，有效抑制反射和串扰，提升链路可靠性。
　　该芯片支持动态电压频率切换（DVFS）功能，可根据负载情况智能调节工作频率和电压，平衡性能与能耗。同时，它集成了精密的片上热传感器和错误检测机制，支持实时监控温度状态和数据完整性，保障系统长期稳定运行。在物理设计方面，K4D263238I采用细间距球栅阵列（FBGA）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。此外，其兼容JEDEC标准的GDDR6协议，便于与主流GPU控制器无缝对接，并支持多芯片堆叠（HBM-like配置可选），适用于未来扩展需求。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且可扩展的图形内存解决方案。

K4D263238I-UC50000 主要应用于对内存带宽和处理速度要求极高的领域。最典型的应用场景是高端独立显卡，尤其是用于游戏显卡、专业图形工作站和矿机设备中，作为GPU的主要显存单元，支撑4K乃至8K分辨率下的流畅渲染。此外，随着人工智能和深度学习的发展，该芯片也被广泛用于AI推理和训练加速卡中，例如NVIDIA、AMD及国产AI芯片厂商的相关产品，用以支持大规模矩阵运算和模型参数缓存。
　　在数据中心和云计算环境中，配备此类GDDR6内存的加速器卡能够显著提升图像识别、自然语言处理和推荐系统等任务的执行效率。另外，该芯片也适用于高性能计算（HPC）系统、自动驾驶感知平台、视频编辑与流媒体服务器等领域，尤其是在需要实时处理大量视觉数据的场合表现优异。由于其低延迟和高吞吐量特性，还可用于雷达信号处理、医学成像设备以及虚拟现实（VR）/增强现实（AR）头显设备中的图形处理模块。总体而言，凡是需要极高内存带宽和快速响应能力的电子系统，都是K4D263238I-UC50000的理想应用场景。

K4Z86323QC-BCWE