型号：K4B8G1646B-MYKO
　　制造商：Samsung
　　产品类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：8 Gb
　　组织结构：512M x 16
　　工作电压：1.5V ±0.075V
　　最大频率：1600 Mbps (800MHz)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作温度范围：0°C 至 95°C（Tj）
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　时钟频率：800MHz（有效数据速率1600MT/s）
　　数据总线宽度：16位
　　存取时间：约10ns（CL=11时）
　　核心电压：1.5V
　　I/O电压：1.5V
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm（典型值）
　　

K4B8G1646B-MYKO具备多项先进的技术特性，使其在DDR3内存产品中表现出色。首先，该芯片采用8Gb高密度存储工艺，在单颗芯片内集成512M个存储单元，每个单元为16位宽，形成512M x 16的组织结构，能够有效减少PCB板上的芯片数量，提高系统集成度并降低布线复杂度。其次，其支持最高1600Mbps的数据传输速率（即DDR3-1600），配合双倍数据率技术，在时钟上升沿和下降沿均可传输数据，显著提升了整体带宽表现，满足高性能计算需求。
　　该芯片的工作电压为1.5V，符合标准DDR3规范，并通过优化内部电路设计实现了较低的动态和静态功耗。它支持多种省电模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），在系统待机或低负载状态下可大幅降低能耗，延长移动设备电池寿命。同时，芯片内置温度传感器和热敏电阻监控机制，可根据结温变化调整刷新速率，确保高温环境下的数据稳定性。
　　K4B8G1646B-MYKO支持关键的DDR3功能，如突发长度可配置（BL=8或BC4+BL4）、写入掩码（Write Mask）功能、差分时钟输入（CK_t/CK_c）以增强时钟抗干扰能力，以及片选（CS）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）等控制信号的同步操作。这些特性共同保障了高速运行时的信号完整性与数据可靠性。此外，该器件支持ZQ校准功能，可通过外部参考电阻实现输出驱动强度和ODT（On-Die Termination）阻抗的精确调节，进一步改善信号反射问题，提升高频稳定性。
　　在可靠性方面，该芯片经过严格的测试流程，具备优异的抗噪声能力和长期运行稳定性，适用于严苛的工业和商业应用场景。其96球FBGA封装形式不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，适合大规模制造使用。整体而言，K4B8G1646B-MYKO以其高容量、高性能和高可靠性，成为构建现代内存系统的理想选择之一。
　　

K4B8G1646B-MYKO主要应用于各类需要大容量、高速内存支持的电子系统中。其典型应用包括台式机和笔记本电脑中的DDR3内存条（如UDIMM、SODIMM）制造，作为核心存储颗粒参与构建8GB甚至更高容量的内存模块。在服务器领域，该芯片可用于注册内存（RDIMM）或无缓冲内存（UDIMM）的设计，支持多通道内存架构，提升数据中心和企业级计算平台的整体性能。
　　此外，该芯片也广泛用于网络通信设备，如路由器、交换机和基站控制器，用于临时缓存大量数据包和处理实时流量。在工业自动化控制系统中，例如PLC、HMI和工业PC，K4B8G1646B-MYKO因其稳定的温度适应性和长时间运行的可靠性而被采用。消费类电子产品如智能电视、高端机顶盒和游戏主机也可能使用该型号内存颗粒来支持复杂的图形渲染和多任务处理。
　　由于其标准化接口和广泛供货历史，该芯片常被用于内存升级、故障替换以及旧设备维护场景。许多第三方内存模组厂商也将其用于兼容主流主板平台的内存条生产，确保与Intel和AMD处理器平台的良好兼容性。总之，只要系统支持DDR3-1600标准且采用x16颗粒设计，K4B8G1646B-MYKO就是一个可靠且高效的内存解决方案选项。
　　

K4B8G1646F-MYKO
　　K4B8G1646C-MYKO
　　MT4JTF12864AZ-1G9E1P