型号：K4B8G1646B-MIKO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3L SDRAM
　　组织结构：8Gb (1024M x 8/512M x 16)
　　电压：1.35V / 1.5V 可选
　　数据速率：最高支持1866 Mbps (933MHz)
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大工作频率：933MHz
　　刷新模式：自动/自刷新
　　掉电模式：支持
　　突发长度：8 (固定或通过模式寄存器设置)
　　突发类型：顺序/交错
　　内部Bank数量：8
　　预取架构：8n Prefetch
　　CAS延迟 (CL)：CL9-CL11可配置
　　tRCD/tRP：135ps
　　tRC：50ns
　　tRFC：260ns (典型值)
　　输入/输出标准：SSTL_135

K4B8G1646B-MIKO具备多项先进特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，该芯片采用了8n预取架构，有效提高了数据吞吐率，同时保持较低的功耗水平。其双电压支持（1.35V 和 1.5V）允许系统根据实际需求动态调整供电策略，实现更优的能效比。在高速运行状态下，该器件仍能维持出色的信号完整性和稳定性，得益于优化的内部电路设计和严格的阻抗控制。
　　其次，K4B8G1646B-MIKO支持多种电源管理模式，包括自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）和局部阵列自刷新（PASR）。这些模式可根据环境温度和使用情况智能调节刷新频率，显著降低待机功耗。例如，在高温环境下，TCSR会自动增加刷新率以防止数据丢失；而在低温或轻负载条件下，则减少刷新操作以节省电力。
　　再者，该芯片内置8个独立的内部Bank，支持并发访问操作，大幅提升内存带宽利用率。配合可编程的CAS延迟（CL9至CL11）、tRCD和tRP参数，用户可以根据具体应用场景进行精细调优，平衡性能与功耗。此外，其支持的突发长度为8，且支持顺序和交错两种突发类型，增强了数据读写的灵活性。
　　在可靠性方面，K4B8G1646B-MIKO符合JEDEC标准规范，并经过严格测试验证，确保在宽温范围内（-40°C至+85°C）稳定运行。其96球FBGA封装具有良好的散热性能和机械强度，适合回流焊工艺，便于大规模生产。所有输入输出接口均采用SSTL_135标准，兼容主流处理器和控制器，简化系统集成过程。最后，该器件还支持ZQ校准功能，可定期调整输出驱动和ODT阻抗，补偿由于电压波动和温度变化引起的信号失真，从而保障长期运行的可靠性和数据完整性。

K4B8G1646B-MIKO主要应用于对性能和功耗有较高要求的移动和嵌入式计算平台。常见用途包括高端智能手机和平板电脑，其中大容量、高速度的RAM对于多任务处理、高清视频播放和大型应用程序运行至关重要。此外，该芯片也广泛用于便携式医疗设备、工业控制终端、车载信息娱乐系统以及智能监控摄像头等物联网（IoT）设备。
　　在网络通信领域，K4B8G1646B-MIKO可用于路由器、交换机和基站模块中，作为临时数据缓存单元，提升数据包处理效率和系统响应速度。在消费类电子产品如数字电视、机顶盒和游戏主机中，该芯片能够支持流畅的图形渲染和快速的内容加载。
　　由于其支持宽温工作范围和高可靠性设计，K4B8G1646B-MIKO同样适用于工业自动化设备和户外电子系统，即使在恶劣环境下也能保持稳定运行。此外，一些高性能嵌入式处理器开发板（如基于ARM Cortex-A系列的SoC平台）也会选用此类DDR3L颗粒作为主内存配置，以满足操作系统运行和复杂算法执行的需求。总的来说，凡是需要高效、节能且可靠的动态存储解决方案的场合，K4B8G1646B-MIKO都是一个理想的选择。

K4B4G1646F-MYB0
　　K4B8G1646C-MIBK
　　MT41K512M8RH-125
　　W9425G6KH-13