时间：2025/5/7 10:23:28
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K4B4G1646E-BYMA 是一款由三星 (Samsung) 生产的 DDR3 SDRAM 内存芯片，广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能数据处理的电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，在性能和功耗之间实现了良好的平衡。它支持高带宽的数据传输，并具备较低的延迟特性，使其成为许多现代系统设计的理想选择。
DDR3 技术相比前代 DDR2 和 DDR 内存提供了更高的频率范围和更低的工作电压，从而显著提高了数据吞吐量并减少了能耗。
类型：DDR3 SDRAM
容量：4Gb (512MB x 8)
组织结构：512M x 8
核心电压 (Vcc)：1.35V
I/O 电压 (Vccq)：1.35V
速度：1600 Mbps
封装形式：BGA
引脚数：78
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据宽度：x8
K4B4G1646E-BYMA 提供了卓越的性能表现，其主要特性包括：
1. 支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率，能够满足多种高性能应用需求。
2. 使用低至 1.35V 的工作电压，有效降低了功耗并提高了能效。
3. 采用 BGA 封装形式，具有更小的尺寸和更高的可靠性，适合在紧凑型设计中使用。
4. 提供全面的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保其能够在各种环境条件下稳定运行。
5. 高速读写能力和较低的访问延迟时间，提升了系统的整体响应速度。
6. 符合 JEDEC 标准规范，便于与现有硬件架构兼容。
K4B4G1646E-BYMA 芯片适用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑中的内存条模块。
2. 工业控制设备、嵌入式系统及通信网络设备。
3. 服务器和存储设备中的高速缓存解决方案。
4. 图形处理单元 (GPU) 和其他需要大容量高速内存的应用场景。
5. 医疗成像、视频监控等对实时性和大数据吞吐有严格要求的行业。
K4B4G1646D-BYMA
K4B4G1646Q-BYMA
K4B4G1646F-BYMA
