型号：K4B4G1646E-BMK0
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3L SDRAM
　　组织结构：4Gbit (512M x 8 / 256M x 16)
　　数据宽度：x16
　　容量：4 Gb
　　工作电压：1.35 V ± 0.1 V
　　最大时钟频率：800 MHz (DDR3-1600)
　　数据速率：1600 Mbps
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动与自刷新
　　掉电模式：支持
　　接口电平：SSTL_135

K4B4G1646E-BMK0 具备多项先进特性，使其在低功耗与高性能之间实现良好平衡。首先，该芯片采用DDR3L标准，工作电压仅为1.35V，相比标准DDR3的1.5V降低了约10%~20%的功耗，特别适用于笔记本电脑、超极本、平板电脑及其他电池供电设备。其核心架构基于4Gbit的存储阵列，采用双Bank Group（BG）设计，支持更高的并发访问效率，从而提升数据吞吐能力。此外，该器件支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），可根据系统负载动态调整功耗状态，延长设备续航时间。
　　信号完整性方面，K4B4G1646E-BMK0 优化了内部布线和驱动电路设计，具备良好的抗噪声能力和稳定的时序控制，支持ZQ校准功能，可实时补偿由于温度和电压变化引起的阻抗漂移，确保高速信号传输的可靠性。该芯片还集成了片上终端（On-Die Termination, ODT），减少了外部匹配电阻的数量，简化了PCB布局并提高了信号质量。在时序参数上，其CL（CAS Latency）典型值为11 cycles，tRCD、tRP等关键延迟参数均符合DDR3-1600规范，保障了系统的稳定运行。
　　该器件采用96-ball FBGA封装，尺寸紧凑，适合高密度贴装，有助于缩小终端产品的体积。制造工艺上，三星使用先进的微细化技术，提升了芯片的集成度与良率。同时，K4B4G1646E-BMK0 支持全缓冲和点对点连接架构，适用于单面或双面内存模组设计。它还具备错误检测能力，可通过地址/命令奇偶校验选项增强系统可靠性。综合来看，这款DRAM芯片凭借其低电压运行、高带宽、多电源管理模式和优异的封装性能，成为许多中高端移动和嵌入式平台的理想选择。

K4B4G1646E-BMK0 主要应用于对功耗敏感且需要较高内存带宽的便携式电子设备。典型应用包括超薄笔记本电脑（Ultrabooks）、二合一平板电脑、小型化台式机（如NUC类设备）以及工业控制主板。由于其支持DDR3-1600高速数据传输速率，能够满足操作系统流畅运行及多任务处理的需求，因此常被用于搭载Intel第四代Haswell或更新架构处理器的平台，这些平台原生支持DDR3L内存标准。此外，在网络通信设备中，如路由器、交换机和家庭网关，该芯片也作为主内存使用，以支撑数据包处理和系统缓存功能。
　　在消费类电子产品领域，K4B4G1646E-BMK0 被广泛集成于智能电视、数字机顶盒和游戏主机辅助内存模块中，提供快速图像渲染和视频解码所需的临时存储空间。其稳定的电气性能和宽温工作范围也使其适用于车载信息娱乐系统（IVI），在车辆启动、高温环境运行等复杂工况下仍能保持可靠读写操作。在嵌入式系统方面，该芯片可用于医疗设备、POS终端、安防监控DVR/NVR设备等，为实时数据采集与处理提供必要的内存资源。
　　此外，由于该芯片采用标准化接口和JEDEC合规设计，易于进行PCB布局和信号匹配，缩短了产品开发周期，因此受到OEM和ODM厂商的青睐。在多芯片封装（MCP）或系统级封装（SiP）方案中，K4B4G1646E-BMK0 常与其他存储器（如NAND闪存）或处理器共同集成，构建高度集成的模块化解决方案，广泛应用于智能手机早期旗舰机型或高性能物联网网关设备中。其长期供货能力和成熟的供应链体系也增强了其在工业和企业级市场的竞争力。

K4B4G1646F-BCK0
　　MTC4G64EMMA-16DLS