型号：K4B4G0846D-BCK0000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：4Gbit x8/x16/x32
　　工作电压：1.35V ~ 1.5V（标准VDD/VDDQ）
　　输入/输出电压：1.35V（支持低电压运行以节省功耗）
　　时钟频率：最高800MHz（等效1600Mbps数据速率）
　　数据宽度：x8/x16/x32可配置
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　最大访问时间：约0.6ns（典型值）
　　刷新周期：自动与自刷新模式支持
　　数据预取架构：8-bit prefetch
　　接口标准：符合JEDEC DDR3规范
　　支持功能：内部终止电阻（On-Die Termination, ODT）、写入电平训练（Write Leveling）、动态ODT控制等

K4B4G0846D-BCK0000具备多项先进技术特性，使其在高性能内存应用中表现出色。首先，该芯片采用了8-bit预取架构，这是DDR3标准的核心技术之一，能够在每个时钟周期内从存储阵列中预取8位数据，从而显著提升数据吞吐率。这种架构结合差分时钟输入（CK/CK#），实现了精确的时序控制和更高的信号完整性，确保在高频下仍能保持稳定的数据传输。
　　其次，该器件支持多种低功耗管理模式，包括自动刷新、自刷新和部分阵列自刷新（PASR）。其中，PASR功能允许用户仅对正在使用的存储区域进行刷新，而关闭未使用区域的刷新操作，从而大幅降低待机状态下的功耗。这对于电池供电或对能效敏感的系统尤为重要。同时，芯片内置温度传感器，可根据实际温度动态调整刷新速率，在高温环境下增强数据保持能力，而在低温时减少不必要的能耗。
　　再者，K4B4G0846D-BCK0000集成了片上终端电阻（ODT），可在读写过程中自动启用内部匹配阻抗，减少信号反射和噪声干扰，提升总线稳定性，尤其适用于多负载拓扑结构。此外，它支持写入电平训练（Write Leveling）和动态ODT控制，有助于补偿时钟与数据之间的偏移，优化时序窗口，提高系统可靠性。
　　最后，该芯片采用小型化FBGA封装，具有优异的热性能和机械强度，适合在空间受限且散热条件复杂的环境中部署。整体设计兼顾了高速性、低功耗与高可靠性，适用于图形处理、视频编码、数据中心加速卡及高端嵌入式平台等多种应用场景。

K4B4G0846D-BCK0000主要应用于对内存带宽和处理速度要求极高的系统中。其首要应用领域是独立图形显卡和集成图形处理器（GPU），作为显存（VRAM）用于存储纹理、帧缓冲和着色数据，支持高分辨率渲染和实时3D图形处理。由于其高数据速率和低延迟特性，特别适合用于游戏主机、专业图形工作站和虚拟现实设备中的图像数据缓存。
　　在网络通信设备方面，该芯片常被用于路由器、交换机和网络接口卡（NIC）中，作为数据包缓冲区或路由表缓存，帮助实现高速数据转发和流量管理。其稳定的电气性能和宽温工作能力也使其适用于工业自动化控制系统、医疗成像设备和测试测量仪器等对可靠性和耐用性要求较高的场合。
　　此外，K4B4G0846D-BCK0000还可用于高性能FPGA加速板、AI推理边缘设备和嵌入式视觉系统中，为算法运算提供临时数据存储空间。在某些特定的消费类电子产品中，如高端智能电视和流媒体盒子，也可能采用此类GDDR3芯片来提升视频解码和UI渲染性能。总体而言，该器件适用于所有需要高带宽、低延迟和良好热稳定性的动态内存应用环境。

K4B4G1646F-BYH1
　　MICRON MT41J512M8HX-15E:
　　HYNIX H5TC4G63AFR