型号：K4B4G0846B-XYK0
　　制造商：Samsung
　　类型：GDDR3 SDRAM
　　容量：4Gb（512MB）
　　组织结构：64M x 64
　　电压：1.5V（标准模式），可支持1.35V（低电压版本）
　　时钟频率：最高800MHz（等效于1600Mbps数据速率）
　　工作温度：-40°C 至 +95°C（结温）
　　封装类型：FBGA，86球面阵列
　　数据宽度：64位
　　刷新周期：自动/自刷新模式支持
　　访问时间：约0.6ns（典型值）
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 1.0mm（近似）

K4B4G0846B-XYK0 具备多项先进技术特性，使其在图形内存领域具有显著优势。首先，该芯片采用了双倍数据速率（DDR）架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可传输数据，从而有效提升了总线利用率和数据吞吐能力。其最大数据传输速率达1600Mbps，能够满足高端GPU对显存带宽的严苛要求，尤其适用于高分辨率游戏、3D建模、视频编辑和AI推理等高负载应用场景。
　　其次，该器件内置预取架构（Prefetch Architecture），采用8n预取模式，大幅减少了内部核心访问延迟，并提高了突发数据传输效率。这种设计使得内存控制器可以更高效地调度数据流，降低整体系统延迟，增强图形处理响应速度。此外，K4B4G0846B-XYK0 支持多种低功耗模式，包括部分阵列自刷新（PASR）、温度补偿自刷新（TCSR）和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），可根据实际负载动态调整功耗水平，延长移动设备电池寿命，同时降低数据中心的散热压力。
　　再者，该芯片具备优异的电气性能和信号完整性设计。其差分时钟输入（CK/CK#）机制增强了抗噪声能力，确保在高频运行下的稳定性；数据选通信号（DQS）与数据同步传输，支持源同步时序控制，便于接收端精确采样。所有I/O接口均支持阻抗匹配和驱动强度调节功能，有助于减少反射和串扰，提升多颗粒并行工作的可靠性。最后，K4B4G0846B-XYK0 集成了内部温度传感器和错误检测机制，可在极端温度下自动调整刷新率以防止数据丢失，保障系统长期稳定运行。这些综合特性使其成为中高端独立显卡及嵌入式视觉系统的理想选择。

K4B4G0846B-XYK0 主要用于需要高带宽、低延迟图形存储的应用场景。最典型的应用是独立显卡（Discrete Graphics Cards），尤其是在中端到高端级别的GPU模块中作为显存使用，为NVIDIA或AMD的图形处理器提供快速的数据交换通道，支持全高清乃至4K级别的视频渲染与游戏运行。此外，该芯片也常见于专业级图形工作站，用于CAD/CAM设计、三维动画制作、虚拟现实（VR）内容生成等领域，确保复杂模型和大纹理贴图的实时加载与显示。
　　在嵌入式系统方面，K4B4G0846B-XYK0 被广泛应用于智能监控摄像头、工业机器视觉系统和自动驾驶感知模块中，作为图像缓存单元存储传感器采集的原始影像数据，并支持快速读取供后续算法处理。由于其高耐用性和宽温工作能力，该器件也非常适合部署在户外或工业环境中运行的设备上。另外，在高性能计算（HPC）和边缘AI推理设备中，该GDDR3芯片可用于加速神经网络模型的权重读取与特征图存储，提升推理吞吐量。
　　消费类电子产品如高端游戏主机、多媒体播放器和AR眼镜也可能采用此类显存颗粒，以实现流畅的用户界面动画和高质量图形输出。总之，凡是需要快速访问大量图形或视频数据的系统，K4B4G0846B-XYK0 都能发挥关键作用，提供稳定且高效的内存支持。

K4B4G1646E-BYKO
　　K4B4G0846C-XYK0
　　MT41J512M8HT-15E
　　K4B2G1646F-BYKO