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K4B2G1646F-BMMA 发布时间 时间:2025/5/30 11:28:10 查看 阅读:10

K4B2G1646F-BMMA 是一款由三星(Samsung)生产的 DDR3L SDRAM 内存芯片。DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,相较于标准的 DDR3(1.5V)更加节能。该芯片广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、嵌入式设备以及其他需要低功耗内存解决方案的场景。
  这款芯片单颗容量为 2Gb(256MB),采用 FBGA 封装形式,具有高带宽、低功耗和高性能的特点。

参数

容量:2Gb (256MB)
  类型:DDR3L SDRAM
  位宽:16bit
  速度:1600Mbps
  工作电压:1.35V
  封装形式:FBGA
  引脚数:78-ball
  工作温度范围:0°C ~ 85°C

特性

K4B2G1646F-BMMA 提供了多种优越的性能特点:
  1. 低功耗设计:工作电压降低到 1.35V,相比传统 DDR3 节省了约 10% 的电能消耗。
  2. 高速传输:支持高达 1600Mbps 的数据传输速率,满足现代计算需求。
  3. 紧凑封装:采用 78-ball FBGA 封装,适合空间受限的应用场景。
  4. 稳定性:经过严格测试,确保在各种环境条件下都能提供稳定的性能。
  5. 广泛兼容性:适用于多种平台,包括移动设备和嵌入式系统。
  6. ECC 支持:部分配置支持纠错码功能,提高数据可靠性。

应用

K4B2G1646F-BMMA 主要应用于以下领域:
  1. 笔记本电脑:为轻薄型笔记本提供高效且节能的内存解决方案。
  2. 平板电脑:满足移动设备对低功耗和高性能的需求。
  3. 嵌入式系统:用于工业控制、网络通信等对稳定性要求较高的场合。
  4. 消费电子:如智能电视、机顶盒等需要大容量存储和快速数据处理的产品。
  5. 物联网设备:支持 IoT 应用中的数据采集与处理任务。

替代型号

K4B2G1646D-BCK0, K4B2G1646Q-HYCA, MT41K256M8HX-125 IT

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