K4B2G1646F-BCK0 是一款由三星(Samsung)生产的 DDR3 SDRAM 内存颗粒。该芯片采用先进的制程工艺制造,具有高容量、低功耗和高速度的特点,广泛应用于台式机、笔记本电脑以及嵌入式系统等需要大容量内存支持的场景。
这款芯片单颗容量为 2Gb(256Mb x 8),属于 DDR3-1600 规格,工作电压为 1.35V 或 1.5V,符合 JEDEC 标准。其出色的性能和可靠性使其成为主流市场中的热门选择。
容量:2Gb (256Mb x 8)
类型:DDR3 SDRAM
速度:DDR3-1600
工作电压:1.35V / 1.5V
封装形式:BGA
引脚数:78-ball
数据宽度:x8
组织方式:512M x 8bit
温度范围:-40°C ~ +85°C
K4B2G1646F-BCK0 具备以下主要特性:
1. 高速传输能力:支持高达 1600MT/s 的数据速率,能够满足现代计算设备对内存带宽的需求。
2. 低功耗设计:支持 1.35V 和 1.5V 双电压模式,有效降低能耗。
3. 稳定性与可靠性:采用先进的制造工艺,确保在各种环境下的稳定运行。
4. 小型化封装:BGA 封装形式,节省空间,适合紧凑型设计需求。
5. 广泛兼容性:符合 JEDEC DDR3 标准,便于与其他硬件无缝集成。
K4B2G1646F-BCK0 主要应用于以下领域:
1. 桌面计算机和服务器内存条:
作为构建高性能内存模块的核心元件,用于提升系统的整体性能。
2. 笔记本电脑:
为轻薄型移动设备提供快速且可靠的内存解决方案。
3. 嵌入式系统:
适用于工业控制、网络通信等领域中需要大容量内存支持的应用场景。
4. 游戏主机及图形处理单元:
满足实时渲染和复杂计算任务对内存的高要求。
K4B2G1646D-BCK0, K4B2G1646Q-BCK0