型号：K4B2G0846C-HCF8
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　存储容量：2Gb (256MB)
　　组织结构：256M x 8
　　工作电压：1.5V ±0.075V (VDD/VDDQ)
　　输入/输出电压：1.5V
　　最大时钟频率：400MHz
　　数据速率：800Mbps (DDR)
　　数据接口：x8
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　CAS等待时间（CL）：6, 7, 8, 9 可选
　　突发长度：BL=8
　　内部Bank数量：8
　　预充电延迟（tRP）：15ns 典型值
　　行地址到列地址延迟（tRCD）：15ns 典型值
　　行周期时间（tRC）：48ns 典型值
　　写恢复时间（tWR）：15ns 典型值
　　激活到预充电延迟（tRAS）：36ns 典型值
　　ZQ校准：支持
　　ODT配置：RTT_40, RTT_60, RTT_120 可编程

K4B2G0846C-HCF8具备多项先进的技术特性，使其在DDR3内存市场中表现出色。首先，该芯片采用了8个内部Bank的设计，能够实现高效的并发操作，显著提升了数据访问效率和整体吞吐量。每个Bank可以独立进行激活、读写和预充电操作，这种并行架构特别适合多任务处理和高带宽需求的应用场景。
　　其次，该器件支持多种突发长度和突发类型配置，默认为8位突发模式（BL=8），支持顺序和交错两种访问方式，用户可根据系统需求灵活设置。CAS等待时间（CL）支持6、7、8、9等多种选项，允许系统根据实际工作频率和稳定性要求进行优化配置，平衡性能与功耗之间的关系。
　　再者，K4B2G0846C-HCF8集成了片上终端电阻（ODT）功能，支持RTT_40、RTT_60和RTT_120三种阻值配置，可在读写过程中动态启用片内匹配电阻，减少信号反射，提高信号完整性，尤其在点对多点拓扑结构中效果明显。配合ZQ校准机制，可通过外部参考电阻定期校正输出驱动和ODT阻抗，确保长期运行中的电气性能稳定性。
　　此外，该芯片支持多种低功耗管理模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式，能够在设备待机或轻负载状态下大幅降低能耗，延长移动设备的电池寿命。温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片温度动态调整刷新周期，在高温环境下增加刷新频率以防止数据丢失，低温时则降低频率以节省电力。
　　最后，该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和热稳定性，支持差分时钟输入（CK_t/CK_c）和数据选通信号（DQS_t/DQS_c），确保在高频操作下的同步精度和数据捕获可靠性。所有这些特性共同构成了一个高性能、低功耗、高可靠性的内存解决方案。

K4B2G0846C-HCF8广泛应用于各类需要高性能内存支持的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常被用于台式机主板、笔记本电脑、一体机和游戏主机中的内存模块设计，作为标准UDIMM或SODIMM组件的一部分，提供稳定的DDR3内存支持。在网络通信设备方面，该芯片适用于路由器、交换机、防火墙和基站控制器等设备，满足高速数据包缓存和实时处理的需求。在工业控制和嵌入式系统中，如工控机、HMI人机界面、数字标牌、POS终端和智能家电，K4B2G0846C-HCF8因其高可靠性、宽温工作能力和紧凑封装而受到青睐。
　　此外，该芯片也适用于视频监控系统、DVR/NVR录像设备、多媒体播放器和图像处理模块，能够高效支持高清视频流的缓冲与编解码操作。在测试测量仪器、医疗成像设备和自动化测试平台中，其快速响应和低延迟特性有助于提升数据采集和处理速度。由于其符合RoHS环保标准且具备良好的供应链稳定性，K4B2G0846C-HCF8也被广泛用于企业级服务器和存储阵列中的内存子系统设计。随着DDR3仍在许多成熟产品线中持续使用，尤其是在成本敏感但性能要求适中的应用场景中，该芯片仍保持着较强的市场竞争力和技术生命力。

MT41K256M8HG-125:A
　　EM63A165TS-6H