时间：2025/5/29 23:54:24
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K4B1G1646G-HCH9是三星（Samsung）推出的一款DDR3 SDRAM内存芯片，广泛应用于计算机、服务器和其他电子设备中。该芯片采用先进的制造工艺，在性能和功耗方面表现出色，支持高速数据传输和大容量存储需求。
DDR3技术使得这款芯片具备更低的工作电压（通常为1.5V），从而减少能耗并提升散热效率。同时，它还具有8位预取架构，可以显著提高数据吞吐量。
类型：DRAM
存储容量：1Gb (128Mb x 8)
接口类型：DDR3
工作电压：1.5V
数据速率：1600Mbps
封装形式：BGA
引脚数：78
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O标准： SSTL_15
K4B1G1646G-HCH9采用了DDR3 SDRAM技术，提供高达1600Mbps的数据传输速率，满足现代计算设备对高性能内存的需求。
其低功耗设计使其成为节能型应用的理想选择。此外，该芯片通过优化的内部结构设计，确保在高频率运行时保持稳定性和可靠性。
此外，这款芯片支持突发长度为8或4的操作模式，并兼容多种系统架构。它的自刷新功能和电源管理选项进一步增强了其灵活性和适应性。
由于采用了球栅阵列（BGA）封装，这款芯片能够实现更小的尺寸和更高的引脚密度，非常适合空间受限的设计环境。
K4B1G1646G-HCH9适用于各种需要高速数据处理和大容量存储的应用场景，包括但不限于：
个人电脑和笔记本电脑中的内存模块（DIMM 和 SO-DIMM）。
网络设备如路由器和交换机的缓存系统。
工业控制设备和嵌入式系统的数据存储。
消费类电子产品如智能电视和游戏机的图形处理单元（GPU）配套内存。
服务器和数据中心的高效能运算模块。
K4B1G1646D-HYH9
K4B1G1646Q-HYH9
K4B1G1646B-HYH9
