K4B1G0846G-BCH9是三星(Samsung)生产的DDR3 SDRAM内存芯片,属于高密度存储器系列。该芯片主要用于计算机、服务器、网络设备和其他需要高性能内存的电子设备中。
该型号具有高速数据传输和低功耗的特点,适合需要大容量存储的应用场景。
容量:1Gb
组织:128Mx8
I/O宽度:8位
电压:1.35V
速度:1600Mbps
封装:BGA
工作温度:-40°C ~ +85°C
K4B1G0846G-BCH9采用先进的制程工艺制造,具备以下特性:
1. 高速性能:支持高达1600Mbps的数据传输速率,能够满足现代计算设备对内存带宽的需求。
2. 低功耗设计:运行在1.35V电压下,相比传统的DDR3内存芯片更加节能。
3. 稳定性:经过严格测试,确保在极端温度范围内的可靠性和稳定性。
4. 小型化封装:采用BGA封装形式,有助于节省PCB空间,适合紧凑型设计需求。
5. 广泛兼容:符合JEDEC标准,易于与其他硬件组件集成。
K4B1G0846G-BCH9广泛应用于以下领域:
1. 台式机和笔记本电脑:
提供高效的内存扩展能力,提升系统整体性能。
2. 工业控制设备:
适用于工业自动化、嵌入式系统等领域,保障长时间稳定运行。
3. 网络通信设备:
用于路由器、交换机等网络设备中,增强数据处理能力。
4. 医疗和汽车电子:
因其高可靠性和低功耗特点,在医疗仪器和车载信息系统中有广泛应用。
5. 存储设备:
可作为固态硬盘缓存或RAID控制器中的关键存储元件。
K4B1G1646D-BHI9,K4B2G0846D-BHI9