类型：多芯片封装 (MCP)
　　组成：LPDDR4X DRAM + eMMC Flash
　　DRAM容量：8Gb (1GB)
　　DRAM电压：1.1V / 1.8V
　　DRAM接口：LPDDR4X
　　Flash容量：64GB
　　eMMC版本：eMMC 5.1
　　封装形式：BGA
　　引脚数量：根据规格书定义
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　数据传输速率：最高3200 Mbps (DRAM)
　　eMMC总线速度：高达200MB/s

K4AAG085WB-MCPB 的核心优势在于其高度集成的设计理念，将高速低功耗的LPDDR4X内存与大容量eMMC 5.1闪存整合于单一BGA封装中，显著减少了主板上的元件占用面积，提升了系统的集成度与可靠性。LPDDR4X部分运行在1.1V核心电压下，相较于前代LPDDR4进一步降低了功耗，尤其在待机和轻负载状态下表现出优异的能效比，非常适合电池供电设备。其双通道架构支持高达3200Mbps的数据传输率，能够满足高清视频播放、多任务处理以及图形密集型应用对带宽的需求。
　　另一方面，集成的eMMC 5.1闪存提供64GB的非易失性存储空间，具备良好的读写性能和稳定性。eMMC控制器内置纠错机制（ECC）、磨损均衡（Wear Leveling）和坏块管理功能，有效延长了存储寿命并保障数据完整性。接口采用8位数据总线设计，理论最大吞吐量可达200MB/s，足以支撑操作系统加载、应用程序运行及文件存取等常规操作。整个MCP结构经过优化布局，减少信号干扰，提高信号完整性和抗噪能力。同时，封装材料符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造流程。
　　该器件还具备出色的热管理和电气兼容性，能够在宽温范围内稳定工作，适用于各种复杂环境下的嵌入式部署。出厂前经过严格测试，确保每颗芯片都达到三星一贯的高品质标准。K4AAG085WB-MCPB 支持自动刷新、自刷新退出时间控制、命令调度优化等多种高级内存管理功能，有助于系统实现更智能的电源控制策略。总体而言，这款MCP产品为追求高性能与小型化的移动终端提供了理想的存储解决方案。

K4AAG085WB-MCPB 广泛应用于对空间和功耗敏感的便携式电子设备中。典型应用场景包括中高端智能手机和平板电脑，其中需要同时具备较大运行内存和存储空间以支持流畅的用户体验。它也被用于工业级手持终端、车载信息娱乐系统（IVI）、智能家居控制中心、可穿戴设备以及物联网网关等嵌入式平台。在这些设备中，该芯片能够有效简化系统设计，减少布线复杂度，并提升整体稳定性。此外，由于其高可靠性和良好的温度适应性，也适用于部分医疗电子设备和户外监控装置中的嵌入式控制系统。

K4AAG085WB-MCPC