时间：2025/8/23 2:11:49
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K428A4001是一款高压功率MOSFET晶体管，由东芝（Toshiba）生产，广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：8A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
K428A4001具有出色的电气性能和耐用性，其高耐压特性使其适用于高压环境。该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，从而降低了导通电阻并提高了效率。器件的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
此外，K428A4001具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，适合在恶劣的工业环境中使用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这些特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
为了确保长期的可靠性，该器件经过严格的测试，并符合行业标准的认证要求。它能够在高湿度和高温度条件下稳定运行，适用于长时间工作的工业设备和电源系统。
K428A4001常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器、照明控制系统以及工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在高效率电源转换系统中表现尤为出色。
K428A4001的替代型号包括Toshiba的K428A4002、STMicroelectronics的STP8NM60N、ON Semiconductor的FQP8N60C等。
