类型：N沟道
　　漏极电流（Id）：10A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.68Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

K4097 FDPF10N50FT 具有以下几个显著的性能特点：
　　首先，该MOSFET具有高耐压能力，漏极-源极击穿电压（Vds）高达500V，这使其适用于高压电源转换应用，能够承受较高的电压应力，从而提高系统的可靠性。
　　其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为0.68Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，低导通电阻还可以减少发热，延长器件的使用寿命。
　　再者，K4097 FDPF10N50FT 的最大漏极电流为10A，能够支持较高功率的负载。同时，其最大功率耗散为150W，结合良好的散热设计，可确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该MOSFET的栅极-源极电压范围为±30V，提供较宽的驱动电压范围，方便与多种驱动电路兼容。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣的环境条件。
　　最后，TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和散热片连接，适合高功率密度设计。

K4097 FDPF10N50FT 主要应用于以下领域：
　　在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于高压侧或低压侧开关，实现高效的能量转换。由于其高耐压和低导通电阻，特别适合用于反激式或正激式转换器中的主开关器件。
　　在DC-DC转换器中，例如升压（Boost）或降压（Buck）转换器，该MOSFET可用于控制能量的传输和调节输出电压，适用于工业电源、电池充电器和LED驱动电路。
　　在电机控制应用中，K4097 FDPF10N50FT 可作为H桥电路的一部分，用于控制直流电机或步进电机的转向和速度，适用于自动化设备和家用电器中的电机驱动。
　　此外，该器件还可用于功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种高电压开关控制电路中。

FQP10N50C, IRF840, FDPF13N50, FDPF16N50