制造商：Samsung
　　产品类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：8Gb（1GB）
　　位宽：16位
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：1.35V（VDD），1.8V（VPP）
　　最大数据速率：16 Gbps
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　存储温度：-40°C 至 +125°C
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　平均写入寿命：典型值>10^15次写入
　　时钟频率：800MHz（有效1600MHz双倍数据速率）
　　接口类型：差分时钟输入，单端/差分数据选通
　　掉电保持时间：最小100ms（在+85°C环境温度下）

K3UH5H50MM-NGCJ 具备多项先进技术特性，使其成为高性能图形内存的理想选择。
　　首先，该芯片采用了16 Gbps的超高数据传输速率，相较于前代GDDR5和GDDR5X产品实现了翻倍的带宽提升。这一性能突破得益于其内部采用的PAM3（三电平脉冲幅度调制）信号技术的初步探索方向以及高度优化的预取架构（16n预取），结合双倍数据速率机制，使得每个时钟周期可传输两次数据，极大提升了总线利用率。
　　其次，该芯片在功耗管理方面表现出色。其核心工作电压降低至1.35V，相比传统1.5V供电标准降低了约10%的功耗，同时辅助电压VPP为1.8V，用于字线升压，提高了读写稳定性。这种双电压设计不仅增强了能效比，也减少了热量生成，有助于提高系统整体的热管理效率。
　　再者，K3UH5H50MM-NGCJ 支持自动刷新、自刷新模式和部分阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh, PASR）功能，能够根据实际使用情况动态调整内存阵列的刷新行为，从而在待机或轻负载状态下显著降低功耗，延长设备续航时间（尤其适用于移动工作站或笔记本GPU）。
　　此外，该芯片具备优异的信号完整性和抗干扰能力。其内部集成了可编程驱动强度控制、片上终端匹配（On-Die Termination, ODT）以及动态ODT（DODT）技术，有效抑制了高速信号反射和串扰问题，确保在PCB走线较长或复杂拓扑结构下的可靠通信。
　　最后，该器件支持多Bank交替访问机制，允许并发操作不同Bank的数据，大幅提升连续读写吞吐量，并减少访问延迟。其内置的错误检测逻辑和冗余修复机制也为长期运行提供了更高的可靠性和良品率保障。

K3UH5H50MM-NGCJ 主要应用于对显存带宽和性能要求极高的电子系统中。
　　最常见的应用场景是独立图形显卡（GPU），特别是NVIDIA GeForce RTX 30系列、RTX 40系列以及AMD Radeon RX 6000和7000系列等高端桌面和移动显卡。这些显卡需要大量高速显存来支持实时光线追踪、深度学习超采样（DLSS/FidelityFX Super Resolution）以及高分辨率纹理渲染，而K3UH5H50MM-NGCJ 提供的16 Gbps速率和高密度特性正好满足此类需求。
　　此外，该芯片也被广泛用于数据中心GPU加速卡，如NVIDIA A100、H100的部分衍生型号或专业可视化卡（Tesla、Quadro系列），用于AI训练、推理计算、科学模拟和大规模并行处理任务。在这些应用中，显存带宽往往是系统瓶颈之一，因此采用高带宽GDDR6颗粒至关重要。
　　除了图形处理领域，该芯片还可用于高性能嵌入式系统，例如自动驾驶计算平台、智能摄像头、边缘AI服务器和高端游戏主机（如PlayStation 5和Xbox Series X/S），其中图像帧缓冲、神经网络权重存储和视频编码解码都需要快速访问大容量显存。
　　由于其高可靠性和宽温工作范围，K3UH5H50MM-NGCJ 也可适用于工业自动化视觉系统、医疗成像设备和航空电子显示模块等严苛环境下的图形处理单元。

K4ZAF325BM-HC14
　　K3RK6R70BM-BGCN
　　MT61K512M32_1600E