品牌：Samsung
　　型号：K3QF3F30BM-AGCF000
　　类型：UFS 3.1 嵌入式闪存
　　容量：512GB
　　工作电压：VCC: 2.9V ~ 3.6V, VCCQ: 1.7V ~ 1.95V
　　接口类型：MIPI M-PHY + UniPro
　　数据速率：支持 HS-G4（最高可达 2900MB/s 读取）
　　封装类型：BGA
　　温度范围：工作温度 -25°C 至 +85°C；存储温度 -40°C 至 +125°C
　　可靠性：耐久性约 3K P/E cycles，数据保持力 10 年（在额定条件下）

K3QF3F30BM-AGCF000 作为三星高端 UFS 3.1 存储芯片的代表型号之一，具备多项领先的技术特性，使其在高性能嵌入式存储市场中占据重要地位。
　　首先，该芯片基于三星先进的第五代 V-NAND 技术构建，采用三层堆叠架构和电荷捕获式浮栅设计，显著提升了单元密度与编程效率，同时降低了功耗和干扰风险。相较于传统 TLC NAND，其在耐久性和数据保持方面表现更优，适用于长时间连续写入的应用环境。
　　其次，K3QF3F30BM-AGCF000 支持 UFS 3.1 规范中的多项关键功能，如 Write Booster 技术，利用片上 SLC 缓存大幅提升写入速度，尤其在大文件传输、应用安装和系统更新时效果明显；Host Performance Booster（HPB）则通过将主机 L2P 表部分驻留在 UFS 内部高速缓存中，减少主控访问延迟，提高随机读取性能，特别有利于安卓系统的流畅体验。
　　再者，该器件集成智能控制器，支持动态电源管理、深度睡眠模式和自刷新机制，在待机或轻负载状态下可自动进入低功耗状态，有效延长移动设备电池续航时间。其还具备强大的 ECC 能力（通常为 LDPC 纠错），能实时检测并修复多位错误，确保数据完整性。
　　此外，K3QF3F30BM-AGCF000 具备完善的可靠性管理机制，包括磨损均衡、坏块管理和读取干扰预防算法，能够在整个生命周期内维持稳定的性能输出。其符合 JEDEC 标准的热管理协议也允许设备根据温度变化调整操作频率，防止过热导致的数据损坏或系统降频问题。整体而言，这款芯片在速度、功耗、可靠性和智能化管理之间实现了高度平衡，是现代高端移动平台的理想选择。

K3QF3F30BM-AGCF000 主要应用于对存储性能有极高要求的高端移动和嵌入式设备领域。
　　在智能手机和平板电脑中，它是实现快速应用启动、多任务切换、高清游戏加载和 8K 视频录制的关键组件。得益于其高达近 3GB/s 的顺序读取速度和出色的随机 IOPS 性能，用户能够享受到接近 PC 级别的响应体验，尤其是在搭载旗舰级 SoC（如骁龙 8 Gen 系列、Exynos 2000 等）的设备中，该 UFS 芯片能充分发挥系统整体性能潜力。
　　在车载电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐主机（IVI）、数字仪表盘和高级驾驶辅助系统（ADAS）的数据记录模块，支持高带宽传感器数据存储和 OTA 固件升级，满足车规级对稳定性和长期可靠性的要求。
　　此外，该器件也被用于高性能工业物联网终端、便携式医疗设备和 AR/VR 头显设备中，这些应用场景往往需要持续的大容量数据流处理能力和抗干扰能力。其紧凑的 BGA 封装也有助于节省 PCB 空间，适应小型化设计趋势。
　　由于其支持可信执行环境（TEE）相关的安全特性（如加密写入、安全擦除等），也可用于需要数据保护的企业级移动设备或政府定制终端。总体来看，K3QF3F30BM-AGCF000 凭借其高性能与高可靠性，已成为高端嵌入式系统中不可或缺的核心存储元件。

KLUFG8R1EM-B0B1
　　KLMCG4J1EM-B041
　　K3QW4F10CM-AGCF