您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > K3PE7E700D-XGC1

K3PE7E700D-XGC1 发布时间 时间:2025/9/2 0:22:40 查看 阅读:14

K3PE7E700D-XGC1 是三星(Samsung)生产的一款高带宽存储芯片,属于其HBM2(High Bandwidth Memory Generation 2)产品系列。这款存储芯片专为高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器和高端网络设备等应用而设计。HBM2技术通过使用3D堆叠结构和硅通孔(TSV)技术,显著提高了内存带宽,同时减少了功耗和封装尺寸。K3PE7E700D-XGC1 提供了高达3.2 Gbps的数据速率,并具有较大的容量,使其成为需要快速数据访问和高吞吐量应用的理想选择。

参数

制造商:Samsung
  产品类型:存储芯片
  技术标准:HBM2
  容量:8GB
  数据速率:3.2 Gbps
  封装类型:BGA
  接口类型:并行
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  电源电压:1.2V
  数据总线宽度:1024位
  堆叠层数:4层
  制造工艺:先进3D堆叠技术

特性

K3PE7E700D-XGC1 是一款基于HBM2标准的高性能存储芯片,采用了先进的3D堆叠技术和硅通孔(TSV)工艺,使其在提供极高带宽的同时,保持较小的封装体积。该芯片支持高达3.2 Gbps的数据速率,能够满足对数据传输速度有极高要求的应用场景。每个K3PE7E700D-XGC1芯片的存储容量为8GB,通过1024位宽的数据总线连接,提供了极高的数据吞吐能力。此外,该芯片的工作电压为1.2V,相较于传统GDDR5或DDR4内存,具有更低的功耗和更高的能效比。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),有助于提高封装密度并减少信号干扰。
  K3PE7E700D-XGC1 的设计使其非常适合用于高性能计算、深度学习加速、图形渲染等需要大量数据处理的应用。其3D堆叠结构减少了内存模块的物理空间占用,同时也降低了信号延迟,提高了整体系统性能。该芯片还支持多种节能模式,能够在不牺牲性能的前提下,根据系统需求动态调整功耗。此外,它具备出色的温度稳定性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行,适用于各种严苛环境下的应用。

应用

K3PE7E700D-XGC1 主要用于需要高带宽、低功耗和小封装尺寸的高端计算设备。常见的应用包括:高性能计算(HPC)系统、人工智能(AI)和机器学习(ML)加速器、图形处理单元(GPU)、数据中心服务器、网络交换设备、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)设备以及高端游戏显卡等。由于其卓越的性能和能效比,它也广泛应用于需要实时数据处理的边缘计算设备和自动驾驶系统。

替代型号

HBM2系列的替代型号包括SK Hynix的H51M52AFRR 和 AMD Radeon Instinct系列中使用的HBM2内存模块。此外,对于需要更高带宽和容量的应用,可考虑使用HBM2e或下一代HBM3标准的内存芯片。

K3PE7E700D-XGC1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价