制造商：Samsung
　　产品类型：存储芯片
　　技术标准：HBM2
　　容量：8GB
　　数据速率：3.2 Gbps
　　封装类型：BGA
　　接口类型：并行
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　电源电压：1.2V
　　数据总线宽度：1024位
　　堆叠层数：4层
　　制造工艺：先进3D堆叠技术

K3PE7E700D-XGC1 是一款基于HBM2标准的高性能存储芯片，采用了先进的3D堆叠技术和硅通孔（TSV）工艺，使其在提供极高带宽的同时，保持较小的封装体积。该芯片支持高达3.2 Gbps的数据速率，能够满足对数据传输速度有极高要求的应用场景。每个K3PE7E700D-XGC1芯片的存储容量为8GB，通过1024位宽的数据总线连接，提供了极高的数据吞吐能力。此外，该芯片的工作电压为1.2V，相较于传统GDDR5或DDR4内存，具有更低的功耗和更高的能效比。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），有助于提高封装密度并减少信号干扰。
　　K3PE7E700D-XGC1 的设计使其非常适合用于高性能计算、深度学习加速、图形渲染等需要大量数据处理的应用。其3D堆叠结构减少了内存模块的物理空间占用，同时也降低了信号延迟，提高了整体系统性能。该芯片还支持多种节能模式，能够在不牺牲性能的前提下，根据系统需求动态调整功耗。此外，它具备出色的温度稳定性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的应用。

K3PE7E700D-XGC1 主要用于需要高带宽、低功耗和小封装尺寸的高端计算设备。常见的应用包括：高性能计算（HPC）系统、人工智能（AI）和机器学习（ML）加速器、图形处理单元（GPU）、数据中心服务器、网络交换设备、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备以及高端游戏显卡等。由于其卓越的性能和能效比，它也广泛应用于需要实时数据处理的边缘计算设备和自动驾驶系统。

HBM2系列的替代型号包括SK Hynix的H51M52AFRR 和 AMD Radeon Instinct系列中使用的HBM2内存模块。此外，对于需要更高带宽和容量的应用，可考虑使用HBM2e或下一代HBM3标准的内存芯片。