时间：2025/12/27 11:30:01
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K3953M是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的电子电路中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，能够在低导通电阻与高开关速度之间实现良好平衡，从而提升系统效率并减少热损耗。K3953M因其优异的电气性能和可靠性，在工业控制、消费电子及通信设备等领域得到了广泛应用。该器件通常封装于小型表面贴装形式，有助于节省PCB空间，并支持自动化装配工艺。
型号：K3953M
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
脉冲漏极电流（Idm）：240A
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：最大6.0mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：典型值47nC @ Vgs=10V
输入电容（Ciss）：典型值3300pF
开启延迟时间（td(on)）：典型值18ns
关断延迟时间（td(off)）：典型值35ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220SMW（表面贴装型）
K3953M具备出色的导通性能和开关响应能力，其超低导通电阻显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提高了整体能源利用效率。
该器件采用了东芝专有的沟槽结构设计，优化了载流子迁移路径，使得在相同芯片面积下可实现更高的电流密度和更低的Rds(on)，同时保持良好的热稳定性。
其高栅极电荷容量虽然略高于某些同类产品，但通过合理设计驱动电路仍可实现快速开关动作，适用于高频PWM控制场景。
K3953M具有较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态负载或短路条件下维持一定时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。
该MOSFET还具备良好的热阻特性，配合适当的散热措施可在高功率环境下长期稳定工作。
由于采用TO-220SMW封装，它兼具通孔安装的机械强度和表面贴装的组装便利性，适合多种生产流程需求。
此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好性的要求。
其稳定的电气参数经过严格筛选和测试，确保批次一致性，有利于大规模量产产品的质量控制。
内置体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用场合，如H桥驱动或同步整流拓扑中。
广泛用于开关模式电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC降压/升压变换器、电池管理系统（BMS）、电动工具电源模块、服务器电源单元、LED驱动电源以及工业电机控制电路中。
在便携式设备的大电流电源管理单元中也表现出色，例如笔记本电脑适配器或移动储能设备。
还可作为高端负载开关使用，替代传统继电器或线性稳压器件以提高效率。
在汽车电子辅助系统中，可用于低电压大电流配电控制，如车载信息娱乐系统或风扇控制器。
得益于其紧凑封装和高效性能，特别适合对空间和散热有严格要求的设计方案。
TK060N03THL
