K3930-01S 是一款由 Kinetic Technologies(原 KEC Corporation)生产的双 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-363 封装。该器件主要用于需要高效能、低功耗的开关电路中,适合用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器等应用。该 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))、高频率响应和良好的热稳定性,使其在低电压、高效率系统中表现优异。
类型:MOSFET(双 N 沟道)
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):500mA(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):典型值 3.0Ω @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOT-363(6引脚)
功率耗散(PD):300mW
栅极电荷(Qg):4.0nC
K3930-01S 的主要特性包括双 N 沟道 MOSFET 配置,允许两个独立的开关通道集成在单个封装中,节省电路板空间并提高系统集成度。其低导通电阻特性确保在导通状态下损耗最小,有助于提高整体系统效率。此外,该器件支持较高的开关频率,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。SOT-363 封装提供良好的散热性能,同时具备紧凑的尺寸,适合便携式设备和空间受限的设计。该 MOSFET 还具备较高的栅极电压容忍度(±20V),确保在各种工作条件下具有良好的稳定性和可靠性。
该器件的热稳定性也经过优化,能够在高温环境下正常运行,适用于工业级和消费类电子应用。此外,K3930-01S 的制造工艺符合 RoHS 环保标准,无铅封装,适用于环保要求较高的电子产品设计。
K3930-01S 主要应用于需要高效、低功耗开关功能的电路中,如便携式电子设备中的电源管理电路、DC-DC 转换器、负载开关控制、LED 驱动电路、电池管理系统、小型电机控制电路、逻辑电平转换电路等。由于其双通道结构,也可用于需要双路独立控制的场合,例如 I2C 或 SPI 接口的电平转换器,或用于双路负载切换的场合。
Si2302DS、FDN306P、2N7002K、DMG3415V