K3920-01 时间：2025/8/9 3:10:29 阅读：16

K3920-01 是一款由 Kinetic Technologies（原 KEC Corporation）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适合高频开关应用。K3920-01 通常采用 SOT-223 封装，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：35mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 (Rds(on))：50mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V
　　功耗 (Pd)：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT-223

特性

K3920-01 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 典型值为 35mΩ，而在较低的 Vgs=4.5V 下，Rds(on) 仍保持在 50mΩ 左右，这使得它适用于由低压控制器驱动的应用，例如在同步整流和负载开关中。
　　K3920-01 采用了先进的沟槽式技术，使其在小尺寸封装下具备良好的热管理和电流承载能力。SOT-223 封装具有良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。此外，该器件具有低栅极电荷（Qg=14nC），有利于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和马达驱动等应用。
　　该 MOSFET 的最大漏极电流为 4A，漏源电压最大为 30V，适用于多种低压功率应用。±20V 的最大栅源电压允许使用多种栅极驱动电路，提高了设计灵活性。同时，其最大功耗为 1.5W，在适当的散热条件下可满足大多数工业级应用需求。
　　此外，K3920-01 具有良好的热稳定性，可在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛环境条件下的工业控制、通信设备和消费电子产品。

应用

K3920-01 主要用于电源管理与功率控制领域，典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统、电机驱动电路以及各种低电压高效率的开关电源设计。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能家电、LED 驱动器和便携式电子设备中的功率控制模块。