K3797 时间：2025/12/26 18:32:57 阅读：10

K3797是东芝（Toshiba）生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高效率功率转换场景中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。K3797特别适用于需要高电流处理能力和低功耗设计的应用场合，能够在较小的封装尺寸下实现优异的性能表现。其主要封装形式为TO-220或TO-220F，便于散热安装，在工业控制、消费电子及照明电源等领域均有广泛应用。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。器件的工作温度范围较宽，通常可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行，适合严苛环境下的使用需求。由于其出色的电气特性和稳健的设计，K3797成为许多中高端功率应用中的优选器件之一。

参数

型号：K3797
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：7 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（Max，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（Typ，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：340 pF（Typ，Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　最大功耗（Pd）：40 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

K3797具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其适用于高压应用场景，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源和工业控制设备中的高压开关电路。与此同时，该器件的导通电阻仅为0.65Ω（在Vgs=10V条件下），这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。对于需要长时间持续工作的设备而言，这种低Rds(on)特性有助于减少发热，延长元器件寿命。
　　其次，K3797采用了东芝成熟的沟槽型场效应晶体管结构，优化了载流子迁移路径，从而提高了电流密度和开关速度。其输入电容和输出电容分别为1100pF和340pF，相对较低的寄生电容意味着更快的开关响应时间，减少了开关过程中的动态损耗，非常适合用于高频开关电源设计。此外，该器件的栅极阈值电压范围为3.0V至5.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由微控制器或PWM控制器驱动，简化了外围驱动电路的设计。
　　另一个显著特点是其良好的热性能。TO-220封装提供了较大的散热面积，结合内部芯片与金属底板之间的高效热传导路径，使得K3797即使在较高功率负载下也能保持稳定的结温。同时，器件的最大功耗可达40W（在壳温25°C时），表明其具备较强的功率处理能力。此外，K3797还具备一定的雪崩耐量，能够在突发过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了整个电源系统的鲁棒性。
　　最后，K3797符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品制造要求。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其能在极端环境下可靠运行，例如高温工业环境或寒冷户外设备中。综合来看，K3797是一款兼具高性能、高可靠性和良好兼容性的中高压功率MOSFET，适合多种复杂电力电子应用。

应用

K3797广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括通用AC-DC适配器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源、DC-DC升压/降压转换器以及光伏逆变器中的功率开关模块。由于其具备500V的高耐压能力和7A的额定电流，特别适合用作主开关管或同步整流管，在中小功率电源设计中表现出色。此外，该器件也常用于电机控制电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度与方向控制。
　　在照明领域，K3797可用于大功率LED路灯、工矿灯和景观照明的恒流驱动方案中，配合专用控制IC实现高效稳定的光输出。其快速的开关特性有助于降低电磁干扰（EMI），满足相关电磁兼容标准。在工业自动化设备中，如PLC模块、继电器驱动电路和电源管理单元中，K3797也因其高可靠性而被广泛采用。
　　此外，K3797还可用于电池充电器、UPS不间断电源、小型逆变电源等便携式或固定式能源管理系统中，承担关键的功率切换任务。其TO-220封装便于安装散热片，适合需要强制风冷或自然对流散热的设备。总体而言，凡是需要高效、稳定且具备一定过载能力的N沟道MOSFET的场合，K3797都是一个值得信赖的选择。