时间：2025/8/9 7:54:58
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K3698-01 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能功率转换和开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电池充电系统、负载开关等多种电子设备。K3698-01 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，能够在高电流和高频率条件下稳定运行。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-263（D2Pak）
K3698-01 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中具有非常高的效率，减少了功率损耗和发热。该器件采用沟槽式结构设计，提高了电流密度和导通性能，同时保持了良好的开关速度，适合高频开关应用。
此外，K3698-01 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高功率密度环境下稳定工作。其 TO-263（D2Pak）封装形式具备良好的散热性能，支持表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产与集成到 PCB 板中。
该 MOSFET 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统的整体安全性。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（例如 10V），便于与各种控制电路（如 PWM 控制器或微处理器）配合使用。
K3698-01 主要用于需要高效率、大电流处理能力的功率电子设备中。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器和通信电源、笔记本电脑和台式机的电源模块等。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于多相电源系统中，以提高整体转换效率和系统稳定性。此外，K3698-01 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起动电机控制器等，满足汽车电子对可靠性和热管理的严格要求。
IRF1405, Si4410DY, FDS6680, AUIRF1405
