时间：2025/8/9 7:16:35
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K3696 是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、开关电源等高功率场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω（典型值）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
K3696具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏极电流可达50A，适用于高电流应用。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高功率环境下稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，便于与各种控制电路配合使用。K3696采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合用于需要高效能和高可靠性的工业设备、电源模块和电机控制电路中。
K3696的制造工艺成熟，具有较高的耐用性和稳定性，适用于多种电源转换系统。其低导通电阻特性使得在大电流工作条件下，MOSFET的温升较小，从而提高整体系统的可靠性。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。K3696还具备一定的过载和短路承受能力，但建议在设计中配合适当的保护电路，以确保长期稳定运行。
K3696常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、LED照明电源、工业控制设备、电源管理模块、电子负载开关等高功率应用场合。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效率电源系统设计中的理想选择。
IRFZ44N, IRF1404, STP55NF06, FDP6676
