K3694 时间：2025/8/9 3:12:04 阅读：17

K3694是一款由KEC Corporation生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。这款晶体管具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。K3694采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，适合在高电流和高功率环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：60A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　晶体管极性：N沟道

特性

K3694的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。其低Rds(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高频率开关应用。该器件的高耐压能力（60V）使其能够在较宽的电压范围内稳定运行，适用于多种电源管理电路。此外，K3694具备良好的热阻性能，可有效将热量从芯片传导至外部环境，防止过热损坏。该晶体管还具有快速开关响应能力，适用于高频PWM控制和高效能功率转换系统。

应用

K3694主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关和功率放大器等场景。其高电流和低导通电阻特性使其成为高性能电源转换和控制系统的理想选择，尤其适用于需要高效率和低损耗的应用。此外，该器件也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和LED驱动电源等领域。