电容值：100pF
　　额定电压：50V DC
　　电容容差：±0.1pF
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（EIA）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　直流电阻（DCL）：≥1000MΩ 或 ≤1.0μA
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ
　　绝缘电阻：≥100GΩ·μF
　　老化率：0%/decade
　　焊接耐热性：符合J-STD-020标准

K3691-01MR的最大特点是采用了C0G（也称为NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料在整个工作温度范围内具有极其稳定的电容值，几乎不受温度变化的影响，电容随温度的变化不超过±30ppm/°C。这使得它成为对精度要求极高的电路中的理想选择，例如振荡器、滤波器和谐振电路。此外，C0G材质还表现出极低的介电损耗，即损耗角正切（tanδ）非常小，通常小于0.1%，从而保证了在高频环境下仍能维持高效的能量传输和最小的能量损耗。
　　该器件的电容容差控制在±0.1pF，显示出极高的制造精度，适用于需要微小电容值且不容许偏差的应用场景。例如，在射频匹配网络中，即使是极小的电容偏差也可能导致阻抗失配，进而影响信号完整性，因此如此严格的容差控制至关重要。同时，其100pF的标称电容值处于高频电路常用范围之内，能够有效实现信号耦合与噪声抑制功能。
　　K3691-01MR具备出色的频率响应能力，可在高达数GHz的频率下保持稳定的阻抗特性，得益于其低等效串联电感（ESL）和超低等效串联电阻（ESR）。这些寄生参数的优化使其在高速开关电源或高频放大器中作为去耦电容时，能够快速响应瞬态电流变化，有效滤除高频噪声，提升系统的电磁兼容性（EMC）。
　　在机械和环境适应性方面，K3691-01MR采用坚固的多层陶瓷结构，具备良好的抗振动和抗冲击性能。其端电极采用镍阻挡层技术，可有效防止外部金属（如焊料）向内部介质扩散，从而增强长期可靠性，避免因金属迁移而导致的短路故障。此外，该器件通过了AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子等对寿命和稳定性有严格要求的领域。

K3691-01MR广泛应用于对电容稳定性、精度和高频性能要求较高的电子系统中。在无线通信设备中，如基站、毫米波雷达和5G前端模块，该电容器常用于射频匹配网络、LC谐振电路以及本振回路中，确保信号路径的精确调谐和最小插入损耗。其C0G特性和低损耗特性使其成为构建高性能滤波器的理想元件，尤其适用于带通、低通和高通滤波电路的设计。
　　在精密模拟电路中，例如高分辨率模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压去耦，K3691-01MR可以提供干净的电源轨，防止噪声干扰影响转换精度。同样，在锁相环（PLL）和压控振荡器（VCO）电路中，其稳定的电容值有助于维持频率稳定性，减少相位噪声，提升整体系统性能。
　　该器件也被用于医疗成像设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，这些应用通常运行在极端温度环境或需要长期无故障运行，而K3691-01MR的宽温特性和高可靠性正好满足此类需求。此外，在工业自动化控制系统和高端消费类电子产品（如智能手机的射频前端）中也有广泛应用。由于其小型化封装（0402），非常适合空间受限的高密度PCB布局，同时支持自动化贴片生产流程，提升了制造效率和良率。