类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　漏极电流(Id)：6A（最大值）
　　导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　晶体管配置：单个 MOSFET

K3611-01MR 具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 28mΩ，确保在低电压应用中也能实现高效能。此外，该器件的封装形式为 SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计。K3611-01MR 还具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 的漏极电流最大可达 6A，适用于中等功率的开关应用。栅极驱动电压范围为 ±12V，确保在不同控制电路中都能可靠工作。由于其快速开关特性和低输入电容，K3611-01MR 非常适合用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。同时，其紧凑的封装设计也有助于提高 PCB 布局的灵活性和密度。

K3611-01MR 主要应用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、移动电源、LED 驱动电路以及各种需要高效功率开关的场合。由于其低导通电阻和小型封装，特别适合用于便携式电子设备中的电源管理模块。此外，它还可用于电机控制、电源适配器、智能卡读写器、USB 电源管理等应用场景。在工业自动化和通信设备中，该 MOSFET 可作为高效能开关器件使用，提升系统整体能效。

Si2302DS、AO3400A、IRLML2402、FDN304P、TPC8107