时间：2025/8/9 9:52:18
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K3600-01L 是一款由 Kinetic Technologies（原 KEC Corporation）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块等场景。K3600-01L 采用 SOT-23 封装，具有小尺寸、高可靠性和良好的热稳定性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
漏极电流（ID）：5.6A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ VGS = 2.5V
功率耗散（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
K3600-01L 是一款高性能功率 MOSFET，具有以下几个显著特性：
首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 VGS=4.5V 时仅为 18mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该特性使其非常适合用于高频率开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和负载开关等。
其次，该器件具有较高的漏极电流承载能力，连续漏极电流可达 5.6A，适用于中高功率负载的控制。此外，K3600-01L 的栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V 的 VGS 工作电压，使其兼容多种控制器和驱动电路，包括低电压 MCU 或逻辑 IC 的直接驱动。
再者，SOT-23 封装提供了良好的热性能和紧凑的尺寸，适合用于空间受限的设计。其封装形式也便于自动化贴片生产，提高了制造效率。
最后，K3600-01L 具备优良的热稳定性和抗过载能力，在高负载和高温环境下仍能保持稳定工作。该器件符合 RoHS 环保标准，无铅且无卤素，适用于消费电子、工业控制、便携设备和汽车电子等多种应用场景。
K3600-01L 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在 DC-DC 转换器中，它可作为同步整流器或高边开关，用于提高转换效率并减小电路体积。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源的通断，防止过流和短路对系统造成损害。此外，它也常用于电池管理系统中，实现电池充放电路径的高效控制。由于其低导通电阻和高电流能力，K3600-01L 也适用于电机驱动、LED 驱动器和电源适配器等应用。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该 MOSFET 可用于优化电源管理，延长电池续航时间。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD14N02LT4G
