时间：2025/8/9 6:59:51
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K3528是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛用于电源管理和开关应用。该晶体管采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电子设备。K3528以其稳定性和可靠性著称，能够在高温和高电流环境下正常工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
K3528的特性包括低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流处理能力使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高响应速度。
K3528采用先进的沟槽式结构，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性。其TO-263封装形式便于安装和散热，适用于表面贴装技术（SMT）生产工艺。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便在不同应用中使用。同时，其热阻较低，能够在高负载条件下保持良好的散热性能。
K3528广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和开关电源等电力电子设备中。由于其高效率和高可靠性，也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率控制部分。
IRF1404, Si4442DY, STP100N3LL
