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K3501 发布时间 时间:2025/12/28 16:05:31 查看 阅读:17

K3501是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制以及各类高功率电子设备中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,能够提供高效、稳定的功率开关性能。K3501通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):9A
  导通电阻(Rds(on)):≤0.65Ω
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-220、TO-252

特性

K3501 MOSFET具有多项优良特性,适用于各种高功率应用环境。其主要特性之一是低导通电阻,通常在0.65Ω以下,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的漏源击穿电压(500V),可承受较大的电压应力,适用于中高功率开关电源设计。K3501的栅极驱动电压范围宽,通常在10V至20V之间即可实现完全导通,具备良好的线性区控制能力,适用于PWM调制等应用场景。该器件还具有较强的热稳定性和较高的可靠性,结合良好的散热设计,可确保长时间运行的稳定性。K3501的封装形式多样,如TO-220和TO-252,适合多种电路布局和安装方式,便于在不同系统中使用。
  另一个显著特点是其快速开关能力,K3501的开关时间较短,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率。这一特性使其在高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动电路中表现出色。此外,K3501具备一定的过载能力和抗冲击电流能力,能够在短暂的高负载条件下保持稳定工作,提高了系统的容错能力。

应用

K3501 MOSFET被广泛应用于多个领域的功率控制和开关电路中。在电源管理方面,该器件常用于AC-DC开关电源、DC-DC转换器以及负载开关电路,用于高效地控制电流流向和功率传输。在电机控制领域,K3501可用于H桥驱动电路中的高侧或低侧开关,配合PWM信号实现精确的转速和扭矩控制。此外,在逆变器和UPS(不间断电源)系统中,K3501可以作为主开关元件,实现直流电到交流电的能量转换。该器件也常用于LED驱动、充电器、电池管理系统以及工业自动化控制设备中。由于其良好的热稳定性和高可靠性,K3501也适用于一些对稳定性要求较高的工业和消费类电子产品。

替代型号

K2645, K2837, IRF840, 2SK2645

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