K3469 时间：2025/8/9 19:16:38 阅读：21

K3469是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够在较高的频率下工作，从而提升整体系统的效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值，Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-92、SOT-23等

特性

K3469的主要特性包括其低导通电阻，使得在导通状态下功率损耗最小化，从而提升系统效率。
　　此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频应用，如开关电源（SMPS）和脉宽调制（PWM）控制电路。
　　其增强型结构确保在零栅极电压下器件处于关断状态，提高了电路的安全性和稳定性。
　　K3469还具备良好的热稳定性和过载承受能力，使其能够在较恶劣的工作环境下运行。
　　由于其小尺寸封装，K3469也适用于空间受限的电路设计，例如便携式电子设备和嵌入式系统。
　　另外，其±20V的栅极电压耐受能力提供了更宽的驱动电压范围，增强了设计的灵活性。

应用

K3469广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效能和低功耗的场合。
　　常见应用包括DC-DC降压或升压转换器、电机驱动电路、LED驱动电路、电池管理系统、电源开关以及各类自动化控制系统。
　　在消费电子领域，K3469可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。
　　在工业控制方面，它被用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和小型电机控制电路中。
　　此外，由于其良好的开关特性和较高的可靠性，K3469也常用于汽车电子系统中的低功率负载开关和驱动电路。